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RF03N2R8B250CT 发布时间 时间:2025/6/29 5:58:55 查看 阅读:4

RF03N2R8B250CT 是一款射频功率晶体管,主要用于高频放大器和无线通信设备中。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有高增益、高线性度和高效率的特点,适用于多种射频应用场合。其设计优化了在特定频率范围内的性能表现,能够满足现代通信系统对射频功率放大器的严格要求。
  该晶体管通常用于基站、无线电设备和其他需要高性能射频放大的场景。

参数

型号:RF03N2R8B250CT
  类型:射频功率晶体管
  封装形式:TO-263
  工作频率范围:30 MHz 至 1000 MHz
  最大输出功率:50 W
  增益:12 dB(典型值)
  饱和功率效率:65%(典型值)
  最大集电极-发射极电压:30 V
  最大栅极-源极电压:±5 V
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

RF03N2R8B250CT 具备出色的射频性能,包括高输出功率和高效率,这使其非常适合于需要大功率输出的应用。此外,它还具备良好的线性度,减少了信号失真,提高了通信质量。该晶体管采用了坚固的 TO-263 封装,能够有效散热,确保在高温环境下稳定运行。
  由于其宽广的工作频率范围,RF03N2R8B250CT 可以覆盖从低频到高频的多种应用场景。同时,它的高增益特性简化了电路设计,降低了对外部组件的要求。
  此外,该晶体管的设计充分考虑了电磁兼容性和稳定性,能够在复杂电磁环境中保持可靠的性能。

应用

RF03N2R8B250CT 广泛应用于各种射频领域,例如无线通信基站、业余无线电设备、工业无线传输系统等。其高功率输出能力使其成为基站功放的理想选择,能够支持多载波和多频段的操作。
  此外,该晶体管也适用于雷达系统、卫星通信和广播电视等领域,提供高效的功率放大功能。在测试测量设备中,RF03N2R8B250CT 同样表现出色,可以为信号源和功率计等仪器提供稳定的射频输出。

替代型号

RF03N2R8B250CS, RF03N2R8B250CTA

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RF03N2R8B250CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格15,000 : ¥0.06584卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2.8 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 大小 / 尺寸0.024" 长 x 0.012" 宽(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.013"(0.33mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-