MMZ1005B800C 时间：2025/12/25 9:39:06 阅读：10

MMZ1005B800C是一款由村田制作所（Murata Manufacturing Co., Ltd.）生产的表面贴装型铁氧体磁珠（Ferrite Bead），属于MMZ系列。该器件主要用于抑制高频噪声，广泛应用于各类电子设备的电源线路和信号线路中，以提升电磁兼容性（EMC）。其小型化设计（1005封装，即0402英寸尺寸）使其非常适合空间受限的高密度印刷电路板（PCB）布局。MMZ1005B800C通过在高频下呈现高阻抗特性，将不需要的高频噪声能量转化为热能，从而有效滤除干扰信号，同时对直流或低频信号的损耗极小，确保主信号通路的完整性。
　　该磁珠采用多层陶瓷工艺制造，内部结构由多个铁氧体层和内电极交替堆叠而成，具备良好的高频特性和温度稳定性。其命名遵循村田的标准编码规则：MMZ代表多层铁氧体磁珠，1005表示其外形尺寸为1.0mm x 0.5mm，B表示阻抗特性曲线类型，800表示标称阻抗值为80Ω（在100MHz时），C可能代表特定的包装形式或产品批次标识。MMZ1005B800C常用于便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及无线通信模块等，是实现高效EMI抑制的关键被动元件之一。

参数

型号：MMZ1005B800C
　　制造商：Murata
　　封装尺寸：1005（1.0 x 0.5 x 0.55 mm）
　　额定电流：500 mA
　　直流电阻（DCR）：最大0.35 Ω
　　阻抗值（100MHz）：80 Ω ±20%
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　额定电压：6.3 V DC
　　产品类型：表面贴装铁氧体磁珠
　　阻抗曲线类型：B型（适用于宽频噪声抑制）
　　端接材料：镍/锡镀层
　　符合RoHS指令：是
　　无铅焊接兼容性：支持回流焊工艺

特性

MMZ1005B800C的最核心特性在于其优异的高频噪声抑制能力。在100MHz频率下，其典型阻抗值达到80Ω，并在整个高频范围内（数十MHz至数百MHz甚至GHz级别）保持较高的阻抗水平，能够有效衰减由开关电源、数字IC、射频电路等产生的共模和差模噪声。这种高阻抗特性源于其内部铁氧体材料的磁导率与频率响应的优化设计，在高频段磁芯损耗显著增加，从而将电磁干扰能量以热量形式耗散，而非反射回系统造成二次干扰。
　　该器件具有极低的直流电阻（DCR），最大仅为0.35Ω，这意味着在通过正常工作电流（最高500mA）时产生的压降和功率损耗非常小，不会对电源效率造成明显影响，特别适合电池供电设备中用于VCC、VDD等电源轨的滤波。此外，低DCR也有助于减少温升，提高长期运行的可靠性。
　　MMZ1005B800C采用1005小型封装，体积小巧，便于在高密度PCB上实现紧凑布局，尤其适用于移动终端和微型化模块的设计需求。其多层片式结构不仅提升了机械强度，还增强了电气性能的一致性和稳定性。产品经过严格的制造工艺控制，具备良好的温度稳定性和耐湿性，可在-55°C至+125°C的宽温范围内稳定工作，适应各种严苛的应用环境。
　　该磁珠符合RoHS环保要求，采用无铅兼容端子结构，支持现代SMT回流焊接工艺，易于自动化贴装，提高了生产效率和良率。同时，村田作为全球领先的被动元件供应商，保证了该型号的高品质与供货稳定性，广泛被主流电子厂商采纳使用。

应用

MMZ1005B800C广泛应用于需要高频噪声抑制的各种电子电路中，尤其常见于便携式消费类电子产品。它常被用作电源线上的EMI滤波元件，例如连接在微处理器、存储器、传感器、摄像头模组、Wi-Fi/BT/GPS无线模块的VDD/VCC供电引脚前，用于滤除来自电源系统的高频纹波和耦合噪声，提升芯片工作的稳定性和信号完整性。
　　在高速数字信号线路中，如I2C、SPI、USB数据线等，该磁珠也可用于抑制高频谐波和串扰，防止信号过冲和振铃现象，降低电磁辐射，帮助产品通过FCC、CE等电磁兼容认证。此外，在射频前端电路中，MMZ1005B800C可用于偏置电路的去耦，阻止RF信号沿电源线泄漏，避免影响其他功能模块的正常工作。
　　由于其额定电流为500mA，适合中低电流应用场景，因此也常见于LED背光驱动、音频放大器电源、实时时钟（RTC）供电路径等模拟电路的噪声隔离。在汽车电子中的车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块以及工业控制设备的小信号调理电路中，该磁珠同样发挥着重要的EMI抑制作用。总之，凡是需要在不显著影响直流电压的前提下滤除高频干扰的场合，MMZ1005B800C都是一个可靠且成熟的选择。