时间：2025/5/24 20:01:56
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FV31N470J102ECG 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种电源管理和功率转换应用。其出色的电气性能和可靠性使其成为设计高效能电子系统的理想选择。
FV31N470J102ECG 的封装形式通常为 TO-220 或类似封装，具体取决于制造商的定义。此外，该型号可能属于某一家半导体公司的特定产品线，例如富士电机（Fuji Electric）或其他相关厂商的产品系列。
最大漏源电压：470V
最大连续漏电流：31A
最大栅源电压：±20V
导通电阻：0.18Ω（典型值，取决于工作条件）
总功耗：160W
结温范围：-55℃ 至 175℃
热阻（结到壳）：1.6℃/W
FV31N470J102ECG 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，能够承受高达 470V 的漏源电压，适合高压应用环境。
2. 较低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
3. 快速开关能力，可以有效降低开关损耗，适合高频功率转换场景。
4. 良好的热稳定性，能够在宽温度范围内可靠运行。
5. 采用标准 TO-220 封装，便于安装和散热设计。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
这些特性使得 FV31N470J102ECG 在工业控制、电动机驱动、逆变器和开关电源等应用中表现出色。
FV31N470J102ECG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等。
2. 逆变器：在光伏逆变器和 UPS 系统中作为功率开关。
3. 电机驱动：用于控制各类电机的启动、停止和调速。
4. 工业自动化设备：如伺服驱动器、变频器等需要高效功率管理的场合。
5. LED 驱动器：提供稳定电流以确保 LED 照明系统的正常运行。
由于其高耐压和大电流承载能力，该器件特别适合需要处理较高电压和较大功率的应用场景。
FV31N470J101ECG
FV31N470J103ECG
IRF840
STP30NF45
