时间：2025/9/9 6:01:49
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RCH855NP-561K是一款由Rochester Electronics生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率电源管理应用设计，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器及电源管理系统等领域。该MOSFET采用先进的制造工艺，确保了低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，同时具备较高的电流承载能力，使其能够在高功率密度环境中稳定运行。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：80A（在Tc=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：最大10.5mΩ（在VGS=10V时）
功耗（PD）：320W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
技术：硅基
安装类型：表面贴装
RCH855NP-561K采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供极低的导通电阻，从而降低导通损耗并提高系统效率。该器件在高温环境下仍能保持稳定性能，适用于要求苛刻的工业和汽车应用。
其栅极设计支持快速开关，减少开关损耗并提高整体系统响应速度。此外，该MOSFET具备优良的雪崩击穿耐受能力，增强了在高能脉冲环境中的可靠性。
该MOSFET的封装采用高热导材料，优化了散热性能，确保在高负载条件下仍能维持较低的工作温度。这种封装形式（TO-263）适用于自动贴片工艺，便于大规模生产与集成。
RCH855NP-561K还具备出色的抗短路能力，在突发故障情况下能够有效保护电路系统。其设计符合RoHS标准，适用于环保要求较高的应用场景。
RCH855NP-561K广泛应用于多种高功率和高效率的电子系统中。例如，在DC-DC转换器、同步整流器、电机控制器、电源管理系统以及负载开关等场景中，它都能发挥出色的性能。
在汽车电子领域，该MOSFET可用于电池管理系统（BMS）、车载充电器（OBC）和DC-DC转换模块等关键电路中。在工业控制和自动化系统中，RCH855NP-561K适用于高性能电源供应器、UPS系统、伺服电机驱动器等设备。
此外，该器件也适合用于太阳能逆变器、储能系统以及高功率LED照明驱动电路等新兴应用领域。
IRF1405, Si7483BD, IPW90R120C3, FDP80N10
