型号：HPQ-04+
　　制造商：Mini-Circuits
　　封装类型：SMD 表面贴装
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +100°C
　　LO 驱动电平：+13 dBm
　　RF 输入频率范围：200 MHz 至 4000 MHz
　　IF 输出频率范围：10 MHz 至 2000 MHz
　　转换损耗：典型值 6.5 dB
　　LO-RF 隔离度：典型值 30 dB
　　LO-IF 隔离度：典型值 35 dB
　　RF-IF 隔离度：典型值 25 dB
　　输入P1dB（压缩点）：典型值 +10 dBm
　　三阶交调截点（IIP3）：典型值 +25 dBm
　　阻抗：50 Ω
　　安装方式：表面贴装（SMD）

HPQ-04+ 混频器具备优异的射频性能，尤其在高频率宽带操作条件下表现突出。其核心特性之一是支持从200 MHz到4 GHz的宽射频输入频率范围，使其能够适应多种通信标准和频段需求，包括蜂窝通信、Wi-Fi、微波链路以及军用频段应用。该器件所需的LO驱动电平为+13 dBm，属于典型的高电平驱动要求，但这也意味着其可以在较高的本地振荡器功率下工作，从而获得更低的噪声系数和更高的线性度。转换损耗典型值为6.5 dB，在无源混频器中属于合理范围，用户需在后续电路中配置适当的IF放大器以补偿信号损失。
　　另一个关键特性是其出色的隔离性能。LO-RF隔离度典型值达到30 dB，LO-IF为35 dB，这有效减少了本振信号反向泄露至天线或前端电路的可能性，避免了可能引起的干扰或辐射问题。同时，RF-IF隔离度为25 dB，有助于防止中频信号回传影响射频通路。这种高隔离能力对于构建高灵敏度接收机至关重要，特别是在强干扰环境下能显著提升系统选择性。
　　HPQ-04+ 具有高达+25 dBm的输入三阶交调截点（IIP3），表明其在处理高强度多音信号时仍能保持良好的线性响应，适用于高动态范围系统如基站接收机或多通道共存平台。此外，其输入P1dB压缩点为+10 dBm，说明它可以承受相对较高的输入功率而不发生明显失真，增强了系统的鲁棒性。由于采用全无源设计，该混频器不产生额外的功耗，也不引入直流偏置相关的稳定性问题，非常适合用于远程部署或对功耗敏感的应用场景。
　　结构方面，HPQ-04+ 使用金属屏蔽封装，提供良好的EMI防护和机械强度，适合在复杂电磁环境中长期运行。其SMD封装形式便于自动化贴片生产，适用于大规模PCB组装流程。整体而言，HPQ-04+ 在性能、可靠性和兼容性之间实现了良好平衡，是一款面向高性能射频系统的理想混频解决方案。

HPQ-04+ 被广泛应用于各类高性能射频与微波系统中，尤其是在需要高线性度和宽频带操作的场合。常见应用包括通信接收机中的下变频模块，将接收到的高频RF信号与本地振荡器信号混合，输出较低频率的中频信号以便于后续模拟或数字信号处理。它也用于发射链路中的上变频过程，将基带或中频信号调制到更高的载波频率进行发射。
　　在测试与测量仪器领域，如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪中，HPQ-04+ 凭借其稳定的电气特性和低互调失真，常被用作前端混频单元，确保测量结果的准确性与重复性。其高IIP3特性特别适合用于多音信号测试环境，能够有效抑制虚假响应。
　　在无线基础设施中，例如4G LTE和5G基站系统，HPQ-04+ 可作为双工器后级的混频元件，参与多频段信号处理任务。由于其支持高达4 GHz的RF输入频率，能够覆盖多个主流移动通信频段，具备较强的通用性。
　　此外，该器件还适用于雷达系统、电子战设备、卫星通信终端以及航空航天领域的射频前端设计。这些应用通常对元器件的温度稳定性、抗干扰能力和长期可靠性有极高要求，而HPQ-04+ 的金属屏蔽封装和宽温工作能力恰好满足这些严苛条件。

HJK-04+
　　MCL-HPQ-04+