NTMD3N08LR2 时间：2025/7/24 18:02:51 阅读：8

NTMD3N08LR2 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高电流、高频开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和较高的功率效率，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制等多种电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：80V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：115A（在25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：最大值3.7mΩ（在Vgs=10V）
　　功耗(Pd)：170W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：DPAK（TO-252）
　　引脚数：3

特性

NTMD3N08LR2 具备多项优良特性，包括极低的导通电阻 Rds(on)，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。其最大 Rds(on) 仅为 3.7mΩ，在高电流应用中能够有效减少热量生成。
　　此外，该 MOSFET 支持高达 115A 的连续漏极电流，适用于需要大电流驱动能力的应用场景。器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的 10V 驱动电压，兼容标准 MOSFET 驱动器。
　　NTMD3N08LR2 采用 DPAK 封装，具有良好的热管理和小型化优势，适合在空间受限的设计中使用。其高功率耗散能力（170W）确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　该器件还具备良好的耐久性和可靠性，适用于工业控制、汽车电子、通信设备等对稳定性要求较高的环境。

应用

NTMD3N08LR2 主要用于以下应用场景：
　　1. **DC-DC 转换器**：作为主开关器件，用于升压（Boost）或降压（Buck）转换器中，实现高效能电压转换。
　　2. **电源管理**：在电源模块、电池管理系统（BMS）中作为开关元件，控制电流流向和功率分配。
　　3. **负载开关**：用于控制高功率负载的开关操作，如加热元件、LED 灯组等。
　　4. **马达控制**：在无刷直流电机（BLDC）控制器或 H 桥电路中作为功率开关，实现马达的正反转和调速。
　　5. **汽车电子**：适用于车载电源系统、启动系统、LED 照明等汽车应用，满足汽车级可靠性要求。
　　6. **工业自动化**：在工业控制板、伺服驱动器、PLC 控制系统中作为高效功率开关使用。