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MMIX1T660N04T4 发布时间 时间:2025/8/5 17:23:31 查看 阅读:22

MMIX1T660N04T4是一种MOSFET模块,设计用于高效能的功率转换应用。这种模块由英飞凌(Infineon)公司生产,采用了先进的MOSFET技术,以提供卓越的电气和热性能。MMIX1T660N04T4特别适用于需要高效率和高可靠性的应用,如电源供应器、电机驱动和工业自动化系统。该模块的设计确保了在高电流和高频率操作下的稳定性和耐用性。

参数

最大漏极电流:660A
  最大漏-源电压:40V
  导通电阻:1.7mΩ
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:双列直插式封装(Dual Inline Package)
  热阻:0.18K/W
  额定功率:200W

特性

MMIX1T660N04T4 MOSFET模块具有多个显著的特性,使其在各种高功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流操作时的最小功率损耗,从而提高了整体效率。此外,模块的高电流承载能力使其能够在严苛的工作条件下保持稳定性能。
  该模块还具有优异的热管理特性,低热阻(Rth)确保了热量能够有效地从器件传导出去,防止过热并延长使用寿命。这种特性在高功率密度应用中尤为重要,因为它有助于保持模块在连续高负载下的可靠性。
  MMIX1T660N04T4采用先进的封装技术,提供了优异的机械稳定性和抗振动能力,适用于工业环境中的严苛条件。模块的双列直插式封装设计使其易于安装和更换,减少了维护时间和成本。
  此外,该模块具有良好的电磁兼容性(EMC)性能,能够在高频操作下减少电磁干扰(EMI),确保系统的稳定性和可靠性。这对于需要在高频率下工作的应用(如开关电源和电机驱动)尤为重要。
  模块的宽工作温度范围(-55°C至150°C)使其能够在极端环境条件下正常工作,增加了其在不同应用中的适用性。无论是在高温还是低温环境中,MMIX1T660N04T4都能保持稳定的性能。

应用

MMIX1T660N04T4 MOSFET模块广泛应用于多种高功率电子系统。常见的应用包括工业电源、电机驱动器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备。在工业电源中,该模块用于高效的直流-直流转换和交流-直流转换,提供稳定的电源输出。在电机驱动器中,MMIX1T660N04T4能够提供高电流输出,确保电机的高效运行。在太阳能逆变器中,该模块用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,供家庭或电网使用。此外,该模块在电动汽车充电设备中也有广泛应用,用于高效的电能转换和管理。

替代型号

FF660R12ME4_B11

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MMIX1T660N04T4参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格20 : ¥174.77050管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)660A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)0.85 毫欧 @ 100A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)860 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±15V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)44000 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)830W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装24-SMPD
  • 封装/外壳24-PowerSMD,21 引线