时间：2025/9/6 8:38:33
阅读：24
STPF1660CT是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高电流、高电压N沟道功率MOSFET。该器件适用于多种高功率应用，例如电源管理、电机控制、DC-DC转换器和负载开关等场景。STPF1660CT采用TO-220封装形式，具备良好的热管理和电气性能，能够在高电流和高压环境下稳定工作。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：60V
最大漏极电流（ID）：160A（在Tc=25°C时）
导通电阻（RDS(on)）：典型值为3.5mΩ（最大值可能为5mΩ）
栅极电压（VGS）：-20V至+20V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-220
功耗（Ptot）：250W（在Tc=25°C时）
STPF1660CT具备一系列高性能特性，适用于严苛的工业和汽车应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。其次，高电流承载能力（最大160A）使其能够应对大功率负载需求，适用于高电流应用如电动车辆的功率系统或高性能电源模块。此外，该器件具备高耐压能力（60V），可在高压环境中稳定运行，确保系统的可靠性和安全性。TO-220封装形式提供了良好的散热性能，有效管理热能，延长器件寿命。此外，STPF1660CT还具备快速开关特性，减少了开关损耗并提高了响应速度，适用于高频开关应用。其栅极电压范围较宽（±20V），可兼容多种驱动电路设计，增加了使用的灵活性。
STPF1660CT广泛应用于多个高功率领域，包括但不限于：电源管理系统，如高功率电源模块、服务器电源和工业电源设备；电机控制和驱动器系统，如电动车、工业自动化设备和机器人；DC-DC转换器和逆变器，用于提高能量转换效率；以及负载开关和电池管理系统，特别是在高电流和高压环境下。此外，该MOSFET还适用于汽车电子应用，例如电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的功率控制系统。
STP200N6F6AG；IRFP260N；FDP160N60TM
