时间：2025/8/23 5:23:52
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SKT590F10DU是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET器件，属于超级结（Super Junction）技术的MOSFET系列，专门用于高效率、高频率的电源转换应用。该器件采用先进的制造工艺，实现了低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和优异的热性能，适合用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS系统、照明镇流器等高效能应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：650V
栅源电压（Vgs）：±30V
漏极电流（Id）：20A（@25°C）
导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω（最大）
功率耗散（Ptot）：200W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-247
技术：超级结（Super Junction）
晶体管配置：单管
SKT590F10DU采用了意法半导体先进的超级结MOSFET技术，显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提升了整体系统效率。该器件的导通电阻Rds(on)非常低，仅为0.18Ω，使得在高电流应用中功率损耗更低，提高了能源利用率。
此外，该MOSFET具有优异的热稳定性，能够在高负载条件下保持良好的性能，延长了器件的使用寿命。其高耐压能力（650V）使其适用于多种高压电源转换系统，包括AC-DC电源、工业电机驱动以及新能源系统。
SKT590F10DU还具有快速开关特性，减少了开关过程中的能量损耗，适用于高频开关电路。同时，其TO-247封装提供了良好的散热性能和机械稳定性，适用于高功率密度设计。
该器件还具备良好的短路耐受能力，增强了系统在异常工况下的可靠性。在实际应用中，SKT590F10DU可以有效减少外围散热器的尺寸，降低整体系统成本。
SKT590F10DU广泛应用于各类高效能电源系统，如高效率开关电源（SMPS）、服务器电源、工业电源、LED照明驱动电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电池充电器、DC-DC转换器以及电机控制电路等。由于其高耐压、低导通电阻和优异的热性能，该MOSFET特别适用于需要高效率、高频工作的电力电子系统。
STF20N65M5, IPW65R019CFD7S, SPW20N60CFDG
