时间：2025/8/25 2:44:03
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FQPF16N60 是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源转换、开关电路以及高效率电源管理应用中。该器件设计用于在高电压和高电流条件下工作，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电源管理系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：16A
功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
FQPF16N60 具有低导通电阻（RDS(on)）的特点，通常在1Ω以下，这使得该MOSFET在高电流应用中具有较低的功率损耗，提高了整体效率。其600V的漏源电压能力使其适用于中高功率开关应用，如电源适配器、LED照明驱动和工业电源设备。该器件还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，确保长时间工作的可靠性。
此外，FQPF16N60 采用了先进的平面工艺和沟槽式栅极结构，提供了优异的开关性能，包括快速的导通与关断时间，从而减少了开关损耗并提升了系统的动态响应能力。其±30V的栅源电压耐受能力增强了抗过压能力，提高了在复杂电磁环境中的工作稳定性。
封装方面，该器件采用标准的TO-220封装，便于安装和散热处理，适用于多种PCB布局设计。TO-220封装具备良好的热传导性能，能够有效将热量传导至散热片，确保器件在高负载条件下保持稳定工作状态。
FQPF16N60 主要应用于各类电源管理系统中，如AC-DC和DC-DC转换器、电源适配器、UPS（不间断电源）、LED驱动电源以及电机控制电路。由于其高耐压和大电流能力，也常用于工业自动化控制设备、电源开关模块以及高效率节能照明系统。此外，该MOSFET还适用于电池管理系统、逆变器和太阳能电源转换系统等需要高可靠性和高效率的电子系统中。
FQA16N60C、FQP16N60C、IRFBC40、STP16NF60、K2645
