类型：双极型晶体管（BJT）
　　晶体管结构：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　最大集电极电流（IC）：40A
　　最大功率耗散（PD）：250W
　　增益（hFE）：约20000（典型值）
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247
　　频率响应：适用于低频至中频应用

G40E100CTSW 是一款高性能的 NPN 型功率晶体管，具备出色的电流放大能力和高电压承受能力，使其适用于各种高功率电子设备和系统。该晶体管的最大集电极-发射极电压为 100V，允许在较高的电压条件下工作，同时其最大集电极电流可达 40A，确保在大电流负载下稳定运行。此外，其最大功率耗散为 250W，能够在高功率应用场景中保持良好的散热性能。
　　该晶体管采用了先进的硅材料制造工艺，具有较高的可靠性和稳定性。在增益方面，其 hFE 值高达约 20000，在放大电路中能够提供出色的信号增益，适用于音频放大器、电源开关电路以及工业控制系统的驱动电路。其工作温度范围广泛，从 -65°C 到 +150°C，使其能够在极端环境条件下正常运行，适用于工业、军事以及汽车电子等领域。
　　在封装方面，G40E100CTSW 采用 TO-247 封装形式，这种封装结构不仅提供了良好的散热能力，还便于安装在散热片或 PCB 板上，适用于高功率密度的设计需求。TO-247 封装通常具有较低的热阻，有助于提升晶体管在高功率工作状态下的热稳定性，延长器件使用寿命。

G40E100CTSW 主要应用于高功率放大电路、电源开关、电机驱动、逆变器、焊接设备以及工业自动化控制系统。该晶体管的高电流和高电压特性使其特别适合用于需要大功率输出的场合，如工业电源、UPS（不间断电源）、变频器和音频功率放大器等。此外，由于其优良的温度特性和可靠性，G40E100CTSW 还可应用于汽车电子系统、电力电子转换设备和智能电网相关产品。

MJ15002G, 2SC5200, TIP142, MJ11033G