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MMDF1N05ER2G 发布时间 时间:2025/7/1 19:51:38 查看 阅读:10

MMDF1N05ER2G是一款基于碳化硅(SiC)技术的MOSFET器件,由Microchip公司生产。该器件专为高频、高效和高温应用而设计,具有低导通电阻和快速开关速度等特性,适用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备等领域。
  其封装形式为TO-247-3L,能够提供卓越的散热性能,同时具备出色的可靠性和稳定性。得益于碳化硅材料的独特优势,该器件能够在高电压环境下工作,同时保持较低的能量损耗。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:16mΩ
  栅极电荷:95nC
  开关频率:100kHz~1MHz
  工作温度范围:-55℃~175℃
  封装形式:TO-247-3L

特性

MMDF1N05ER2G采用先进的碳化硅MOSFET技术,具备以下显著特点:
  1. 高电压承受能力:最高支持650V的工作电压,适用于高压环境下的功率转换应用。
  2. 低导通电阻:仅16mΩ的导通电阻有效降低了导通损耗,提升了整体效率。
  3. 快速开关性能:低栅极电荷(95nC)使得器件在高频应用中表现出色,减少了开关损耗。
  4. 宽温度范围:支持-55℃到175℃的工作温度区间,适合极端条件下的使用。
  5. 热性能优越:TO-247-3L封装提供了高效的散热途径,保证了长期稳定运行。
  6. 高可靠性:经过严格测试,确保在各种工况下均能保持高性能和长寿命。

应用

MMDF1N05ER2G广泛应用于以下领域:
  1. 工业电源:用于不间断电源(UPS)、电机驱动等场景,提升系统的效率与可靠性。
  2. 太阳能逆变器:作为核心功率器件,帮助实现高效的能量转换。
  3. 电动汽车充电设备:适用于直流快充桩中的功率模块,满足高功率密度需求。
  4. 开关电源(SMPS):在高频开关电源中提供卓越的性能表现。
  5. 储能系统:用于电池管理系统中的DC/DC转换部分,降低能量损失。

替代型号

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MMDF1N05ER2G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C300 毫欧 @ 1.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs12.5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds330pF @ 25V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMDF1N05ER2GOSMMDF1N05ER2GOS-NDMMDF1N05ER2GOSTR