时间：2025/5/29 16:44:28
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IPB100N04S4-H2 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，专为高效率开关应用设计。该器件采用了先进的制程技术，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于 DC-DC 转换器、开关电源、电机驱动等应用场景。
该芯片具有出色的热性能和可靠性，能够承受较高的电流负载，并且在高频工作条件下仍能保持较低的功耗。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：100A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：55nC
开关时间：ton=9ns, toff=15ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
IPB100N04S4-H2 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少导通损耗，提升系统效率。
2. 快速的开关速度，可有效降低开关损耗，适用于高频电路。
3. 高电流承载能力，支持高达 100A 的连续漏极电流。
4. 优异的热性能，能够在高温环境下稳定运行。
5. 紧凑的封装形式，便于 PCB 布局和散热设计。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
这款 MOSFET 广泛应用于多种电力电子领域：
1. 开关电源 (Switching Power Supply) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和逆变器。
3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
4. 电动汽车和混合动力汽车的动力系统。
5. LED 驱动和照明控制。
6. 电池管理系统的充放电控制电路。
IPB100N04S4L-H2, IRF1010Z, FDP100N04LS
