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IPB100N04S4-H2 发布时间 时间:2025/5/29 16:44:28 查看 阅读:10

IPB100N04S4-H2 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,专为高效率开关应用设计。该器件采用了先进的制程技术,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,适合用于 DC-DC 转换器、开关电源、电机驱动等应用场景。
  该芯片具有出色的热性能和可靠性,能够承受较高的电流负载,并且在高频工作条件下仍能保持较低的功耗。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:100A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:55nC
  开关时间:ton=9ns, toff=15ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

IPB100N04S4-H2 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少导通损耗,提升系统效率。
  2. 快速的开关速度,可有效降低开关损耗,适用于高频电路。
  3. 高电流承载能力,支持高达 100A 的连续漏极电流。
  4. 优异的热性能,能够在高温环境下稳定运行。
  5. 紧凑的封装形式,便于 PCB 布局和散热设计。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料。

应用

这款 MOSFET 广泛应用于多种电力电子领域:
  1. 开关电源 (Switching Power Supply) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动和逆变器。
  3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  4. 电动汽车和混合动力汽车的动力系统。
  5. LED 驱动和照明控制。
  6. 电池管理系统的充放电控制电路。

替代型号

IPB100N04S4L-H2, IRF1010Z, FDP100N04LS

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IPB100N04S4-H2参数

  • 数据列表IPx100N04S4-H2
  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.4 毫欧 @ 100A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 70µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs90nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds7180pF @ 25V
  • 功率 - 最大115W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装PG-TO263-3-2
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IPB100N04S4H2ATMA1SP000711274