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MMBZ5257B-7-F 发布时间 时间:2025/12/26 11:48:52 查看 阅读:20

MMBZ5257B-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装小功率齐纳二极管,采用SOD-323封装。该器件专为精密电压参考和稳压应用而设计,具有稳定的击穿电压和低动态阻抗,能够在宽温度范围内提供可靠的电压调节性能。其标称齐纳电压为36V,额定功率为200mW,适用于空间受限且需要高精度电压箝位或保护的便携式电子设备。该器件符合RoHS指令要求,并具备无卤素(Halogen Free)特性,适合现代绿色电子产品制造。MMBZ5257B-7-F通过AEC-Q101认证,表明其满足汽车级可靠性标准,可用于车载电源系统、传感器模块及其他对稳定性要求较高的工业与汽车应用中。由于其小型化封装和优良的热稳定性,该齐纳二极管广泛用于ESD保护、过压保护电路以及作为基准电压源使用。

参数

型号:MMBZ5257B-7-F
  制造商:Diodes Incorporated
  封装类型:SOD-323
  齐纳电压(Vz):36V @ Iz = 20μA
  最大耗散功率:200mW
  测试电流(Iz):20μA
  最大齐纳阻抗(Zzt):450Ω
  漏电流(Ir):1μA @ VR = 28.8V
  工作结温范围:-65°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  安装方式:表面贴装
  引脚数:2
  产品等级:汽车级(AEC-Q101)
  湿度敏感等级(MSL):1级

特性

MMBZ5257B-7-F具备优异的电压稳定性和长期可靠性,其核心特性之一是在额定条件下提供精确的36V齐纳击穿电压,允许偏差通常在±5%以内,确保了在关键电路中的精准电压钳位能力。该器件在低测试电流20μA下即可实现稳定导通,使其非常适合用于低功耗系统中,如电池供电设备或待机模式下的电压监测电路。由于采用了先进的硅半导体工艺和精密掺杂技术,该齐纳二极管表现出较低的动态阻抗(典型值低于450Ω),这有助于减少因负载变化引起的输出电压波动,从而提升系统的整体稳定性。此外,其高温工作能力可达+150°C,保证了在恶劣环境下的持续可靠运行,例如发动机舱内的汽车电子控制单元(ECU)或工业PLC模块。
  另一个显著特点是其出色的温度系数优化,在整个工作温度范围内保持较小的电压漂移,增强了作为参考源的适用性。器件的漏电流极低,在反向电压接近但未达到击穿点时仅有不超过1μA的漏电,有效防止不必要的能量损耗并提高电路安全性。SOD-323封装不仅体积小巧(约1.7mm x 1.25mm x 1.1mm),还具备良好的散热性能,使器件能在有限空间内高效散热,避免局部过热导致失效。此外,该封装支持自动化贴片生产,有利于大规模组装并降低制造成本。器件符合AEC-Q101汽车级认证,意味着它经过严格的应力测试,包括高温反偏、温度循环和高湿高热等严苛条件,确保在复杂电磁环境和机械振动下仍能稳定工作。这些综合特性使得MMBZ5257B-7-F成为高端消费类电子、通信模块、汽车传感器接口及工业控制系统中理想的电压保护与参考元件。

应用

MMBZ5257B-7-F主要用于需要稳定36V参考电压或过压保护的场合。常见应用包括汽车电子系统中的电源轨保护,例如车身控制模块、车载信息娱乐系统和ADAS传感器供电电路,利用其精确的击穿电压来防止瞬态高压损坏下游IC。在工业自动化领域,该器件可用于PLC输入输出接口的电压钳位,防止感应电压或线路突波造成误动作或损坏。此外,它也广泛应用于通信设备中,作为RS-485、CAN总线等差分信号线的ESD防护元件,配合TVS管形成多级保护结构。
  在消费类电子产品中,MMBZ5257B-7-F可用于便携式仪器、智能电表和LED驱动电源中的稳压环节,提供可靠的电压基准以确保ADC或比较器正常工作。由于其低功耗特性,该器件也适合嵌入到电池管理系统(BMS)中,用于监控高压串联回路中的单体电压是否超出安全阈值。在电源适配器和DC-DC转换器输出端,它可以作为反馈回路的一部分,帮助维持输出电压稳定。同时,得益于其AEC-Q101认证和高可靠性,越来越多的新能源汽车和电动两轮车设计采用该型号进行辅助电源的稳压与保护。总之,凡是需要小型化、高精度、高可靠性的36V齐纳稳压功能的应用场景,MMBZ5257B-7-F都是一个优选方案。

替代型号

PMBZ5257B,115
  SZMMSZ5257BT1G
  BZT52C36,215
  MMBZ5257BLT1G

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MMBZ5257B-7-F参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)33V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 25V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大350mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)58 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-65°C ~ 150°C
  • 其它名称MMBZ5257B-FDIDKR