时间：2025/9/14 6:49:31
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PBSS4350SSJ是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的Trench工艺制造，适用于中高功率应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和良好的热稳定性，广泛用于电机控制、电源转换、电池管理系统以及工业自动化设备等领域。PBSS4350SSJ采用SOT223封装形式，具有良好的散热性能，适合表面贴装。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：50A（在Tc=25°C时）
导通电阻（Rds(on)）：5.2mΩ（典型值，Vgs=10V时）
功耗（Ptot）：110W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：SOT223
PBSS4350SSJ具备多项优异性能，适用于高要求的功率管理应用。其主要特性包括：低导通电阻，可显著降低导通损耗，提高系统效率；高电流承载能力，支持在高负载条件下稳定工作；采用Trench工艺技术，提升了器件的开关速度和导通性能；SOT223封装具有良好的散热能力，适用于高密度PCB布局；同时，该器件的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平，便于与控制器配合使用。
此外，PBSS4350SSJ具有良好的热稳定性和短路耐受能力，有助于提高系统的可靠性和耐用性。其反向恢复特性优异，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、负载开关和电机驱动电路。器件的封装材料符合RoHS标准，支持环保应用。
PBSS4350SSJ适用于多种功率电子系统，包括但不限于：工业电机驱动器和伺服控制电路；电源管理系统，如DC-DC转换器和负载开关；电池供电设备中的功率控制；汽车电子系统，如车载充电器和电机控制模块；可再生能源系统中的逆变器和功率调节单元。该器件特别适合需要高效率、高可靠性和紧凑设计的应用场景。
SiSS4356NTP-T1-GE3, AO4350, FDS4350, IPU60R1K5P6S
