类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：110mA
　　功耗(Pd)：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　导通电阻(Rds(on))：约5Ω
　　阈值电压(Vgs(th))：2V ~ 4V
　　封装形式：TO-92 或 SOT-23（具体取决于制造商）

2N7002T K72具备以下特性：
　　1. **高可靠性**：作为标准N沟道MOSFET，2N7002T具有较高的稳定性和可靠性，在工业级温度范围内可正常工作，适用于各种电子设备。
　　2. **低导通电阻**：其Rds(on)较低，通常在5Ω左右，有助于降低导通损耗，提高电路效率。
　　3. **高速开关特性**：由于其较小的输入电容和输出电容，2N7002T K72能够在高频下工作，适用于需要快速切换的应用场景。
　　4. **易于驱动**：栅极驱动电压范围宽，支持3.3V至12V的控制信号，可直接由数字IC驱动，简化了外围电路设计。
　　5. **广泛应用**：适用于负载开关、电机驱动、LED控制、继电器替代以及逻辑电路中的信号控制。
　　6. **成本效益高**：由于其广泛使用和标准化设计，2N7002T K72在市场上具有较高的性价比，是许多中小功率电路设计的首选器件。

2N7002T K72的应用主要包括：
　　1. **数字开关控制**：在微控制器或数字电路中作为开关元件，用于控制负载如LED、继电器、小型电机等。
　　2. **电源管理**：在电池供电设备中用于控制电源通断，提高能效和延长电池寿命。
　　3. **信号切换**：在模拟或数字信号路径中作为电子开关，实现多路复用或信号路由。
　　4. **保护电路**：用于过流保护、反向电压保护等场合，作为控制通断的电子元件。
　　5. **电机驱动电路**：在小型电机或步进电机的控制电路中作为驱动开关使用。
　　6. **工业自动化**：用于PLC模块、传感器接口、继电器替代等工业控制应用。

2N7000, 2N7002, BS170, FDV301N, 2N3904（BJT替代，需注意驱动方式不同）