类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.15Ω（典型值）
　　最大功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247

T4630P MOSFET具有多个显著的电气和物理特性，使其在各种高功率应用场景中表现出色。首先，其高耐压能力（600V）允许在高压系统中使用，例如离线电源和DC-DC转换器。其次，该器件的低导通电阻（RDS(on)）减少了导通损耗，提高了整体效率。
　　此外，T4630P采用TO-247封装形式，这种封装不仅提供了良好的散热性能，还确保了机械稳定性和易于安装。其高电流承载能力（30A）使其适合用于需要大功率输出的场合，例如电机控制和电源管理。
　　这款MOSFET还具有快速开关特性，适用于高频操作环境，有助于减少开关损耗并提高系统响应速度。同时，±20V的栅极电压耐受能力提供了更宽的驱动电压范围，增加了设计的灵活性。
　　最后，T4630P的工作温度范围广泛（-55°C至+150°C），使其能够在各种环境条件下可靠运行，从工业设备到户外应用都能胜任。

T4630P MOSFET主要应用于需要高功率处理能力的电子系统中。其最常见的用途包括开关电源（SMPS）中的主开关器件，用于高效地将输入电压转换为所需的输出电压。在电机驱动器中，T4630P可用于控制直流电机的速度和方向，其高电流和高电压特性能够满足重载条件下的需求。
　　此外，该器件也广泛用于逆变器电路，例如太阳能逆变器或不间断电源（UPS）系统中，用于将直流电转换为交流电。由于其高频响应能力，T4630P非常适合用于DC-DC转换器，以实现高效的电压调节。
　　在工业自动化领域，T4630P可用作高功率负载的开关，例如电磁阀、加热元件或照明系统的控制器件。其高可靠性和耐用性使其成为工业设备中的理想选择。

IRF840、STP6NK60Z、FQA30N60