晶体管类型：NPN 和 PNP 组合
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：100V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　封装类型：SOT-23

MMBTRC116SS 晶体管阵列具有多个显著的特性，使其在多种电子电路中表现出色。
　　首先，该器件采用了 NPN 和 PNP 晶体管的组合结构，使得设计人员可以在同一个封装中获得两种不同类型的晶体管。这种组合方式在需要互补操作的电路中（如推挽放大器或 H 桥驱动电路）非常有用，减少了 PCB 的空间占用，同时简化了电路设计。
　　其次，MMBTRC116SS 的最大集电极-发射极电压（Vce）为 100V，这使得该器件能够承受较高的电压，适用于中等电压应用。同时，最大集电极电流（Ic）为 100mA，这使得该晶体管阵列在需要中等电流驱动能力的电路中（如继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制）表现出色。
　　此外，MMBTRC116SS 的最大功耗为 300mW，确保在 SOT-23 小型封装中仍能提供足够的散热能力，从而在高环境温度下仍能稳定运行。该器件的工作温度范围通常为 -55°C 至 +150°C，适用于工业级和汽车电子应用。
　　最后，MMBTRC116SS 的增益带宽积（fT）为 100MHz，表明该晶体管在高频应用中仍能保持良好的放大性能。这一特性使其适用于射频（RF）信号处理、高速开关和数据通信电路。

MMBTRC116SS 晶体管阵列广泛应用于多种电子系统中，尤其是在需要多个晶体管协同工作的电路中。
　　一种典型的应用是数字逻辑电路中的电平转换和信号缓冲。由于该器件包含一个 NPN 和一个 PNP 晶体管，设计人员可以利用其互补特性构建高效的 CMOS 类似电路结构，从而实现低功耗和高噪声抑制能力。
　　另一个常见的应用是用于小型电机驱动或继电器控制电路。MMBTRC116SS 的 100mA 集电极电流能力足以驱动小型直流电机或继电器线圈，同时其 100V 的 Vce 额定值确保了在较高电压下的稳定运行。
　　此外，MMBTRC116SS 也常用于音频放大器中的前置放大或推动级电路。其 100MHz 的 fT 特性使其在音频频率范围内具有良好的增益稳定性，适用于低噪声放大和信号处理。
　　在汽车电子系统中，MMBTRC116SS 可用于控制 LED 灯组、传感器信号调理或小型执行器的驱动。其宽工作温度范围和可靠性使其非常适合在汽车环境中使用。

BC857B, MMBT2907A, MMBT3904