时间：2025/6/26 20:02:59
阅读：12
DMN31D5L-7是一款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，采用DFN3030-8封装形式。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点，适用于各种消费类电子设备、通信设备以及工业控制领域中的电源管理应用。其出色的电气性能和紧凑的封装使其成为设计小型化和高效能产品的理想选择。
该MOSFET的工作电压范围为30V，能够满足多种低压应用的需求，例如负载开关、DC-DC转换器、电机驱动器等。同时，其低栅极电荷和低输入电容确保了快速的开关速度，从而提高了效率并减少了开关损耗。
最大漏源电压：30V
连续漏电流：2.9A
导通电阻：45mΩ
栅极电荷：6nC
总电容：13pF
工作温度范围：-55℃至150℃
DMN31D5L-7具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
2. 快速开关能力，得益于其低栅极电荷和优化的内部结构。
3. 小型DFN3030-8封装，适合空间受限的设计环境。
4. 优良的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。
5. 高可靠性设计，符合RoHS标准，支持环保要求。
6. 低反向恢复电荷（Qrr），在高频开关应用中表现出色。
7. 提供卓越的静电防护能力，简化电路保护设计。
DMN31D5L-7适用于广泛的电子应用领域，包括但不限于以下场景：
1. 消费类电子产品中的负载开关和电源管理模块。
2. 工业自动化设备中的信号切换和功率调节。
3. 手机和平板电脑等便携式设备的充电电路。
4. 各种类型的DC-DC转换器及同步整流器。
5. 小型电机驱动和控制电路。
6. 照明系统中的LED驱动器和调光控制器。
7. 数据通信设备中的信号调理和功率分配单元。
DMN3027L-7, DMN2998UFG-7, BSC018N06NS3
