时间：2025/4/29 12:28:18
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SS23是一种N沟道小信号MOSFET，广泛应用于各种开关和保护电路中。其小型化设计和出色的电气特性使其成为消费电子、通信设备及计算机外设中的理想选择。SS23采用SOT-23封装形式，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，同时具备快速开关性能。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：250mA
脉冲漏极电流：1.1A
导通电阻：1.9Ω
栅极电荷：3.5nC
总电容：16pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
SS23具有低导通电阻特性，可以有效减少功率损耗并提高效率。
它还具有快速开关速度，能够适应高频应用环境。
器件内部集成了一个齐纳二极管，用于提供静电放电（ESD）保护功能。
SOT-23封装形式使其非常适用于空间受限的设计场景。
此外，该MOSFET具备优秀的热稳定性和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
SS23常被用于电源管理模块中的负载开关和电池保护电路。
在数据通信领域，它可以作为线路驱动器或收发器的开关元件。
此外，SS23也适用于便携式设备中的背光驱动和电机控制等场景。
由于其低导通电阻特性，在需要高效能量转换的应用场合下表现尤为突出。
BSS138
2N7000
NTSM2101Z
