类型：PNP型晶体管
　　最大集电极-发射极电压：-100V
　　最大集电极电流：-100mA
　　最大功率耗散：300mW
　　电流增益（hFE）：100-800（取决于测试条件）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23

MMBT5401-T1晶体管具有优异的电气性能和稳定性，适合多种电子应用。其主要特性包括高击穿电压、低饱和电压以及快速开关能力。该晶体管设计用于高可靠性和长期稳定性，能够在广泛的温度范围内工作。此外，其SOT-23封装形式便于在PCB上进行高密度安装，并且具有较好的热性能。
　　这款晶体管的电流增益（hFE）范围广泛，可以根据不同的工作条件提供多种增益选项，使其适用于不同的放大和开关应用。MMBT5401-T1还具有较低的泄漏电流，在关闭状态下能够保持良好的稳定性。其高频响应特性也使其适用于射频和高速开关电路。
　　该晶体管的制造工艺符合工业标准，并且具有良好的抗静电能力，适用于各种电子设备和工业控制系统。

MMBT5401-T1晶体管广泛应用于通用电子电路中，包括信号放大器、电源开关、逆变器、逻辑电路以及各种控制电路。它还适用于消费类电子产品、通信设备、汽车电子系统和工业自动化设备。由于其高频响应特性，也可以用于射频信号处理和无线通信模块。此外，该晶体管常用于替代老式双极型晶体管，以提高电路的可靠性和性能。

MMBT5401LT1G、MMBT5401-TP、PN2907、2N3906