型号：TE28F160S3-100
　　制造商：Intel / Micron
　　存储容量：16 Mbit（2 MB）
　　组织方式：2 M x 8 或 1 M x 16
　　工艺技术：StrataFlash 多层存储技术
　　工作电压：3.0V ~ 3.6V
　　读取访问时间：100 ns
　　封装类型：56-pin TSOP
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　编程/擦除耐久性：≥ 100,000 次
　　数据保持时间：≥ 10 年
　　接口类型：并行接口
　　支持CFI：是
　　供电电压（Vcc）：3.3V 典型值
　　待机电流：≤ 200 μA
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　块结构：多块架构（含多个可独立擦除的扇区）

TE28F160S3-100采用Intel专有的StrataFlash技术，这是一种基于NOR闪存的多层存储架构，允许在同一个存储单元中存储多个数据状态，从而实现比传统NOR闪存更高的存储密度。这一特性使得TE28F160S3-100在保持NOR闪存优势的同时，显著降低了每比特的成本，特别适合需要大容量代码存储但又受限于空间和成本的应用。StrataFlash技术通过精确控制浮栅晶体管的阈值电压，实现了两个或更多数据状态的可靠区分，同时维持了良好的数据保持能力和耐久性。该芯片支持字节和字两种操作模式，用户可以通过硬件引脚选择数据总线宽度，增强了与不同微处理器和控制器的兼容性。芯片内部集成了电荷泵电路，可在标准3.3V电源下完成编程和擦除操作，无需外部高压电源，简化了系统设计。
　　TE28F160S3-100具备高度可靠的错误管理机制，包括内置的ECC（错误校正码）功能和智能擦除/编程算法，有效防止数据损坏并延长使用寿命。其多块架构将存储空间划分为多个独立的扇区，允许对单个扇区进行擦除而不影响其他区域的数据，极大提升了现场固件更新的灵活性和安全性。此外，该器件支持硬件和软件写保护功能，防止意外或恶意修改关键代码区域。CFI（Common Flash Interface）支持使得主机系统能够通过标准命令读取芯片的厂商信息、设备ID、电气特性及定时参数，从而实现自动配置和跨平台兼容。这种即插即用的能力大大减少了开发时间和固件移植难度。
　　在环境适应性方面，TE28F160S3-100设计用于工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），确保在极端环境下仍能稳定运行。其低功耗特性体现在多种省电模式中，包括待机模式和深度掉电模式，能够在空闲时大幅降低电流消耗，适用于便携式设备或远程部署系统。所有操作均符合JEDEC标准接口规范，保证与现有系统设计的良好兼容性。尽管该器件已逐步进入停产阶段，但由于其在工业和通信领域的广泛应用，仍在许多 legacy 系统中持续服役，并可通过授权分销商获取。

TE28F160S3-100主要用于需要高可靠性、快速随机访问和长期数据保持的嵌入式系统中。其典型应用场景包括网络路由器、交换机和基站等通信设备，用于存储启动代码（Boot Code）、操作系统映像和配置文件。在工业自动化领域，该芯片常被用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程I/O模块中，作为固件存储介质，确保在断电后程序仍能完整保留。汽车电子系统中，如车载信息娱乐系统和车身控制模块，也采用此类NOR闪存来存储关键控制程序。此外，在医疗设备、测试仪器和军事电子系统中，TE28F160S3-100因其卓越的稳定性与耐用性而受到青睐。
　　由于其并行接口设计和100ns的快速读取速度，该芯片非常适合执行就地执行（XIP, eXecute In Place）操作，即CPU可以直接从闪存中运行代码而无需将其加载到RAM中，这不仅节省了内存资源，还加快了系统启动速度。这一特性使其成为无磁盘嵌入式系统的重要组成部分。在POS终端、打印机和智能电表等消费类工业产品中，TE28F160S3-100也被广泛用于存储应用程序代码和校准数据。随着物联网（IoT）设备的发展，一些边缘计算节点仍会使用此类成熟稳定的闪存方案以确保长期运行的可靠性。尽管新型串行NOR闪存（如SPI QPI）正在取代部分市场，但在带宽和性能要求较高的场合，并行接口NOR闪存依然具有不可替代的优势。

MT28F160S3-100
　　IS28F160S3-100
　　SST28SF016