时间：2025/6/18 21:38:26
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DMS2095LFDB是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用LFDB封装形式。该器件适用于高效率、高速开关应用场合，广泛应用于电源管理、电机驱动、负载切换等领域。它具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效降低功耗并提高系统性能。
这款功率MOSFET在设计上注重高效能表现和可靠性，同时其紧凑的封装使其适合空间受限的应用场景。
型号：DMS2095LFDB
类型：N沟道增强型MOSFET
VDS（漏源极电压）：60V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：4.5mΩ
ID（连续漏极电流）：85A
Qg（总栅极电荷）：38nC
VGS（栅源极电压）：±20V
f（工作频率范围）：最高支持至500kHz
封装：LFDB
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
DMS2095LFDB的主要特性包括低导通电阻，以减少传导损耗；具备快速开关能力，有助于降低开关损耗；高雪崩能量耐受性，提高了器件的鲁棒性和抗过载能力；良好的热性能，有助于散热设计的简化。此外，该MOSFET还具有低输入电容和栅极电荷，从而提升了整体效率。
此器件的设计特别针对高频和大电流应用进行了优化，可确保系统运行时的稳定性和高效性。另外，它的宽温度范围也使其能够在极端环境条件下可靠工作。
DMS2095LFDB适用于多种电力电子应用领域，如DC-DC转换器、逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动电路、电池管理系统(BMS)中的负载切换以及各类工业自动化设备中的功率控制。
在这些应用中，该器件凭借其低导通电阻和快速开关特性，能够显著提升系统的功率密度，并降低整体能耗。
DMS2094LFCB, IRF260N, STP80NF06
