晶体管类型：NPN x2, PNP x2
　　封装类型：TDFN-6
　　最大集电极电流（Ic）：100mA（每个晶体管）
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：50V（NPN）, 50V（PNP）
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：50V（NPN）, 50V（PNP）
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-65°C ~ 150°C

MMBC1654N6L 拥有多项优异特性，首先其集成了两个NPN和两个PNP晶体管在单一封装中，提高了电路设计的灵活性并减少了PCB板的空间占用。其次，该器件采用了TDFN（Thin Dual Flat No-lead）封装，具有良好的散热性能和小型化优势，非常适合用于高密度电子设备。此外，MMBC1654N6L的电气性能稳定，支持较高的电压和电流操作范围，适用于多种通用和逻辑电平转换应用。该晶体管阵列还具有较高的开关速度和较低的饱和电压，使其在数字开关和放大电路中表现出色。最后，其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）确保了在各种环境条件下的可靠运行。

MMBC1654N6L 主要应用于需要多个晶体管配合工作的场合，例如逻辑电平转换、驱动LED和小型继电器、信号放大、开关电路以及电源管理模块。由于其高集成度和小尺寸封装，特别适用于便携式消费电子产品、工业控制系统、通信设备和汽车电子模块等设计中。此外，在需要进行双向电平转换或H桥驱动的电机控制电路中，MMBC1654N6L也能发挥重要作用。

MMBC1654N6L的替代型号包括MMBC1654N6T1G、MMBC1654N6W和MMBC1654N6LT1G，这些型号在参数和封装上基本一致，可根据具体供货情况和需求进行选择。