SLF850U是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。它广泛应用于各种功率转换电路中,例如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等。SLF850U能够在高频条件下高效工作,并且具备出色的耐用性和可靠性。
这款MOSFET特别适合需要低功耗和高效率的应用场景,其封装形式通常为SOP-8,能够满足紧凑型设计的需求。
最大漏源电压:80V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:50A
导通电阻:8.5mΩ
总栅极电荷:37nC
输入电容:1650pF
工作结温范围:-55℃ to +150℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型工作条件下仅为8.5毫欧,从而减少了传导损耗. 高电流承载能力,支持高达50安培的连续漏极电流,适用于大功率应用。
3. 快速开关特性,总栅极电荷低至37纳库仑,有助于降低开关损耗。
4. 良好的热稳定性,在宽温度范围内保持一致的性能。
5. SOP-8封装提供优越的散热性能以及易于集成到PCB板的设计灵活性。
6. 高可靠性和长寿命,经过严格测试以确保在恶劣环境下的稳定运行。
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动控制
4. 汽车电子系统
5. 工业自动化设备
6. 负载开关及保护电路
7. 可再生能源逆变器
8. 电池管理系统中的功率管理模块
IRF840, FDP5500, STP55NF06L