时间：2025/5/19 18:24:40
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IPB180N04S4-01 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用了 TRENCHSTOP? 技术，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等应用领域。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-252 (DPAK)，能够提供出色的热性能和电气性能，适合需要紧凑设计的应用场景。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：180A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷（典型值）：79nC
总电容（输入电容）：2120pF
功耗：20W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
IPB180N04S4-01 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 小型 DPAK 封装，便于 PCB 布局和散热管理。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业要求。
6. 稳定的工作温度范围，适应多种严苛环境条件。
IPB180N04S4-01 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），如适配器、充电器等。
2. DC-DC 转换器中的同步整流。
3. 电机控制与驱动，例如无刷直流电机（BLDC）控制器。
4. 工业自动化设备中的功率级模块。
5. 可再生能源系统，如太阳能微型逆变器。
6. 各种需要高效功率转换的消费类电子产品。
IPW180N04S4L-02, IRFZ44N, FDP187AN
