时间：2025/8/2 9:07:38
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AO7800是一款由Alpha & Omega Semiconductor（AOS）制造的双N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的Trench沟槽技术，提供低导通电阻和高效率。该器件封装在小型化的8引脚DFN（Dual Flat No-lead）封装中，适用于高密度电源管理系统，如DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。
类型：MOSFET（N沟道）
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：12A（@25℃）
导通电阻（Rds(on)）：10mΩ（@Vgs=10V）
工作温度范围：-55℃~150℃
封装类型：8-DFN
AO7800是一款高性能双N沟道功率MOSFET，专为高效能电源管理应用设计。其核心特性之一是极低的导通电阻（Rds(on)）为10mΩ，这在Vgs=10V时实现，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的漏源电压为30V，栅源电压为±20V，确保了其在较宽电压范围内稳定工作。
此外，AO7800采用先进的Trench沟槽技术，进一步优化了器件的开关性能，使其具备更快的开关速度和更低的开关损耗，这对高频开关应用尤为重要。该器件的连续漏极电流为12A（在25℃环境温度下），可满足高功率密度设计的需求。
AO7800采用8引脚DFN封装，具有良好的热性能和较小的PCB占位面积，非常适合空间受限的设计。其小型化封装同时提供了良好的散热能力，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。该器件的工作温度范围为-55℃至150℃，能够在极端环境下可靠工作，适用于工业级和汽车电子应用。
该MOSFET具有良好的栅极驱动兼容性，可与常见的PWM控制器和驱动IC配合使用，简化了电路设计并提高了系统的整体可靠性。
AO7800适用于多种电源管理应用，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制电路、电池管理系统（BMS）、便携式电子设备的功率开关，以及汽车电子中的电源模块。其高效率和小型化封装使其在需要高功率密度和紧凑设计的场合尤为适用。
Si7461DP, AO4406, FDS6680, NVMFS5C410NLTAG
