类型：MOSFET（N沟道）
　　通道数：2
　　漏源电压（VDS）：30V
　　漏极电流（ID）：5A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：65mΩ（最大）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：DFN5x6或TSSOP

MJ4641采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了功率损耗，提高了系统的整体效率。其双通道设计使得在单个封装中可以实现多个功率开关功能，节省了PCB空间并简化了设计。该器件支持高电流承载能力，每个通道可提供高达5A的连续漏极电流，适用于中高功率应用。此外，MJ4641具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适用于汽车电子、工业控制、电池管理系统等对可靠性要求较高的领域。
　　该器件的栅极驱动电压范围宽，支持±20V输入，使得其兼容多种驱动电路设计，便于集成到不同的控制系统中。此外，MJ4641的封装形式（如DFN5x6或TSSOP）具有优良的热管理性能，有助于快速散热，从而提升器件在高负载条件下的可靠性与稳定性。

MJ4641广泛应用于各类电源管理与功率控制电路中。其典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动、LED驱动电路、电池充电管理系统以及负载开关控制等。在汽车电子系统中，MJ4641可用于车身控制模块、车载充电器、车灯控制系统等场合。在工业自动化与物联网设备中，该器件也被用于智能电表、嵌入式电源管理模块及各类高效率开关电源系统中。此外，MJ4641还可用于便携式电子产品中的电源管理单元，以提升能效并延长电池续航时间。

Si4460BDY, IRF7404, AO4406, FDS4435B, NDS351AN