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MJ11012 发布时间 时间:2025/7/18 18:52:15 查看 阅读:12

MJ11012 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的高功率 N 沟道功率 MOSFET,广泛用于高电流、高电压的电源管理与功率转换应用。该器件采用了先进的工艺技术,具备较低的导通电阻(Rds(on))和优异的热性能,能够承受较大的连续漏极电流和较高的工作电压。由于其高性能特性,MJ11012 常用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电机驱动、电池管理系统以及工业自动化控制系统等高功率场合。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏极电压(VDSS):100V
  最大漏极电流(ID @25°C):30A
  导通电阻(Rds(on)):约 0.045Ω(典型值)
  栅极阈值电压(VGS(th)):2V~4V
  最大功耗(PD):200W
  工作温度范围:-55°C~+175°C
  封装形式:TO-264(全塑封装)

特性

MJ11012 是一款高性能功率 MOSFET,具备以下显著特性:
  1. **低导通电阻(Rds(on))**:该器件的典型 Rds(on) 仅为 0.045Ω,大幅降低了导通损耗,提高了系统效率,适用于需要高效率和低热量产生的应用场合。
  2. **高电流承载能力**:在 25°C 下,最大漏极电流可达 30A,且在高温下仍能保持良好的电流承载能力,适合用于高功率负载电路。
  3. **高耐压能力**:漏极与源极之间的最大击穿电压为 100V,能够满足多种中高功率电源系统的需求,例如电动车控制器、大功率 LED 驱动器等。
  4. **优良的热稳定性与散热能力**:采用 TO-264 封装,具备良好的散热性能,可有效降低温度对导通电阻的影响,提高器件的可靠性。
  5. **栅极驱动兼容性好**:栅极阈值电压范围为 2V~4V,适配常见的 5V 和 10V 栅极驱动电路,便于与各种 PWM 控制器或微处理器配合使用。
  6. **快速开关特性**:具有较短的开关时间,减少了开关损耗,适用于高频开关电源应用。
  7. **过温保护与雪崩能量耐受能力强**:内部结构设计增强了对瞬态过载和感性负载反冲电压的承受能力,提升了系统稳定性。

应用

MJ11012 因其高功率处理能力和稳定性能,被广泛应用于以下领域:
  1. **开关电源(SMPS)**:作为主功率开关器件,用于 AC-DC 或 DC-DC 转换器中,提高转换效率和系统可靠性。
  2. **电机驱动与控制**:用于直流电机、步进电机的驱动电路,支持大电流负载的快速启停与调速。
  3. **电池管理系统**:适用于高功率电池充放电控制电路,如电动车、储能系统中的功率开关。
  4. **工业自动化与电源控制**:用于工业设备的电源管理模块、负载切换和继电器替代方案。
  5. **LED 照明系统**:在大功率 LED 驱动器中作为高频开关器件,提升能效和亮度调节精度。
  6. **逆变器与UPS系统**:用于不间断电源(UPS)和逆变器中的功率转换模块,确保稳定输出。

替代型号

IRF1404, STP30NF10, FDPF1404

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MJ11012参数

  • 制造商ON Semiconductor
  • 产品种类Transistors Darlington
  • 配置Single
  • 晶体管极性NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO60 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO5 V
  • 集电极—基极电压 VCBO60 V
  • 最大直流电集电极电流30 A
  • 功率耗散200 W
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-204-2 (TO-3)
  • 封装Tray
  • 集电极连续电流30 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min200, 1000
  • 最小工作温度- 55 C
  • 工厂包装数量100