类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：800V
　　最大漏极电流（Id）：11A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.65Ω（最大）
　　最大功耗（Ptot）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220
　　栅极电荷（Qg）：45nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1200pF（典型值）
　　晶体管配置：单个晶体管

TGON800 具有多个显著特性，使其适用于各种高功率应用场景。首先，其最大漏源电压为 800V，能够在高压环境下稳定工作，适用于高电压开关和功率转换器。其次，导通电阻 Rds(on) 最大为 0.65Ω，降低了导通损耗，提高了整体效率。
　　该器件的最大漏极电流为 11A，在适当的散热条件下可以处理较大的负载电流。此外，TGON800 的栅极电荷（Qg）为 45nC，这有助于减少开关损耗，使其适用于高频开关应用。输入电容（Ciss）为 1200pF，影响开关速度，但整体性能仍优于许多同类产品。
　　TGON800 采用 TO-220 封装，便于安装在散热器上，确保在高功率操作时良好的热管理。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适应各种工业和恶劣环境条件下的运行。最大功耗为 125W，表明该器件能够在较高的功率水平下保持稳定性能。

TGON800 MOSFET 广泛应用于多个领域，包括电源供应器、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、电机驱动器、照明系统以及工业自动化设备。由于其高电压和高电流能力，该器件特别适用于开关电源（SMPS）中的高压侧开关，以及需要高效率和高可靠性的功率转换电路。
　　在电机控制应用中，TGON800 可用于 H 桥驱动器或 PWM 控制器，实现对直流电机的速度和方向调节。此外，它还可用于太阳能逆变器和电池管理系统（BMS），以提高能源转换效率。在工业自动化中，该器件可用于可编程逻辑控制器（PLC）中的高侧负载开关，确保系统的稳定性和耐用性。

STF8NM80, FQA11N80, 2SK2143