时间：2025/11/8 10:16:19
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UDZVFHTE-1711B是一款由ROHM Semiconductor生产的齐纳二极管，专为高精度电压参考和电路保护应用设计。该器件采用小型SOD-523封装，具有低功耗、高稳定性和快速响应的特点，适用于便携式电子设备和高密度PCB布局场景。其标称齐纳电压为11V，在额定电流下可提供稳定的反向击穿电压，确保系统在过压条件下可靠运行。该型号属于ROHM的UDZV系列，该系列产品以优异的电压容差控制（通常±2%）和低动态阻抗著称，适合需要精密稳压功能的模拟与混合信号电路。此外，该器件具备良好的温度稳定性，能够在宽温度范围内保持性能一致性，是消费类电子产品、通信模块和工业控制单元中常见的电压钳位元件。
UDZVFHTE-1711B中的后缀“FHT”表示其为符合RoHS标准的无铅产品，“E”代表编带包装，适合自动化贴片生产流程。其结构采用先进的平面工艺制造，具有较低的漏电流和噪声水平，有助于提升整体系统的信噪比和能效表现。由于其小型化封装和高性能特性，该器件广泛用于电源管理单元、传感器接口电路以及IC供电路径中的瞬态电压抑制场合。
类型：齐纳二极管
封装/外壳：SOD-523
齐纳电压（Vz）：11V @ 5mA
容差：±2%
最大功率耗散：200mW
测试电流（Iz）：5mA
最大齐纳阻抗（Zzt）：40Ω
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
反向漏电流（Ir）：< 1μA @ 8.8V
UDZVFHTE-1711B具备出色的电压稳定性和温度特性，其核心优势在于采用了ROHM成熟的硅扩散工艺，确保了齐纳击穿电压的高度一致性与长期可靠性。该器件在5mA测试电流下的标称电压为11V，且电压容差严格控制在±2%以内，显著优于普通齐纳二极管的±5%标准，使其更适合对电压精度要求较高的应用场景，如ADC参考源或比较器阈值设定。其动态阻抗（Zzt）最大值仅为40Ω，意味着在负载变化时输出电压波动极小，能够有效维持系统工作的稳定性。
该器件的工作结温可达150°C，具备优良的热稳定性，可在高温环境下长期运行而不发生性能退化。同时，在低温-55°C条件下仍能保持正常的齐纳效应，适应极端环境下的使用需求。其反向漏电流低于1μA（在8.8V时），表明在未达到击穿电压前的截止区具有很高的阻断能力，减少了静态功耗，特别适用于电池供电设备。
SOD-523封装尺寸仅为1.2mm × 0.8mm × 0.6mm，体积小巧，节省PCB空间，便于实现高密度集成。该封装还具有良好的散热性能，通过优化电极设计提高了热传导效率，从而支持连续200mW的功率耗散能力。此外，器件采用无铅镀层和绿色环保材料制造，完全符合RoHS和REACH环保规范，满足现代电子产品对环境友好型元器件的要求。
UDZVFHTE-1711B还表现出优异的瞬态响应能力，能够在纳秒级时间内响应电压突变，有效抑制瞬时过压脉冲，常被用于ESD保护或电源线上的电压钳位电路中。其低噪声特性也使其适用于敏感模拟前端电路，避免因齐纳噪声干扰信号完整性。总体而言，这款器件集高精度、小尺寸、低功耗与高可靠性于一体，是现代电子系统中理想的电压参考与保护元件。
UDZVFHTE-1711B主要应用于需要精确电压参考和过压保护的电子电路中。常见用途包括便携式设备的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，其中它作为LDO输出的反馈分压基准，确保输出电压稳定。在传感器信号调理电路中，该器件可提供稳定的偏置电压或限幅保护，防止输入信号超出ADC量程。
在通信接口电路（如USB、I2C、UART）中，UDZVFHTE-1711B可用于线路的静电放电（ESD）防护和电压钳位，保护下游集成电路免受瞬态高压冲击。其快速响应特性和低电容设计有助于维持信号完整性，不会引入明显的传输延迟或失真。
在工业控制系统中，该器件常用于PLC输入模块的信号电平转换与保护，将外部传感器的高电平信号安全地转换为控制器可接受的范围。此外，在电池供电设备中，它可以构成简单的过充或过放保护电路，监测电池电压并在异常时触发保护机制。
由于其高精度和温度稳定性，该器件也被用于测试测量仪器中的内部参考源，或作为运算放大器电路中的箝位元件，限制输出摆幅以保护后续级联电路。在汽车电子领域，尽管非车规级版本不直接用于主控系统，但仍可用于车载附件的小信号保护电路中。总之，该器件凭借其紧凑尺寸和可靠性能，广泛服务于消费电子、工业自动化、通信设备等多个领域。
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"MMSZ5241BT1G",
"BZT52C11",
"SZMZ5241B"
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