MIW5033是一款由Mitsubishi Electric(三菱电机)制造的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于高功率电子设备中,例如工业电机驱动、逆变器和电力转换系统。该模块集成了多个IGBT芯片和反向并联的二极管芯片,具备高效率、高可靠性和良好的热性能。MIW5033采用紧凑的封装设计,适合在空间受限的场合使用,同时具备良好的电气隔离性能,适用于中高功率等级的应用场景。
类型:IGBT模块
额定集电极-发射极电压(VCES):1200V
额定集电极电流(IC):50A
工作温度范围:-40°C至+150°C
封装类型:模块封装(通常为双列直插式或扁平封装)
导通压降(VCE_sat):约2.1V(典型值)
最大功耗:约150W
输入电容(Cies):约2500pF
短路耐受能力:5μs @ 125°C
绝缘耐压等级:2500V AC(1分钟)
安装方式:螺钉安装或散热片固定
符合标准:RoHS兼容
MIW5033 IGBT模块具有多项优良特性。首先,其高耐压能力(1200V)和大额定电流(50A)使其适用于多种中高功率应用,如工业变频器、UPS系统和可再生能源逆变器。其次,模块内部集成有快速恢复二极管,能够有效降低反向恢复损耗,提高整体系统效率。此外,MIW5033采用先进的封装技术,提供良好的热传导性能,有助于在高负载条件下保持稳定的温度运行,延长模块寿命。模块还具备优异的短路耐受能力,能够在极端工作条件下提供可靠的保护。MIW5033还支持并联使用,适用于需要更高电流容量的设计。最后,该模块符合RoHS环保标准,适用于现代绿色电子设备的设计。
MIW5033 IGBT模块主要应用于需要高效功率转换和控制的工业和电力电子系统。典型应用包括工业变频器、电机驱动器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电焊机和感应加热设备。由于其高可靠性和良好的热管理性能,MIW5033也适用于对安全性和稳定性要求较高的自动化控制系统和电动汽车充电设备。此外,在需要快速开关和高效率的电力电子变换器中,MIW5033同样表现出色。
SKM50GB12T4、FF50R12KS4、FGL50N120D