制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：SRM
　　晶体管类型：N-Channel Enhancement Mode GaN HEMT
　　工作频率：2.4GHz ~ 2.5GHz
　　输出功率（Pout）：10W (30dBm)
　　漏极电流（Id）：典型值 250mA
　　漏源击穿电压（BVDSS）：50V
　　增益（Gain）：>18dB
　　工作温度范围：-40°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SMD Plastic Package
　　输入/输出阻抗：50 Ohm 匹配设计
　　热阻（Rth）：较低热阻设计以提升散热效率
　　电源电压（Vdd）：28V 典型操作电压
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：约 1.5V ~ 2.5V

SRM2A256LLM10的核心优势在于其采用的GaN on SiC（碳化硅上氮化镓）材料体系，这种结构结合了GaN的高电子迁移率与SiC基板卓越的热导性能，从而实现了远超传统半导体技术的功率密度和热管理能力。在2.4GHz至2.5GHz的工作频段内，该器件能够持续输出10W的射频功率，同时保持高于18dB的功率增益，这使其非常适合需要高增益放大器架构的应用。其高击穿电压（50V）允许使用更高的漏极供电电压（通常为28V），从而提高功率附加效率（PAE），降低直流功耗，这对于电池供电或能效敏感型系统尤为重要。
　　该器件具有优异的线性度和互调失真（IMD）性能，能够在复杂的调制信号（如OFDM、QAM等）下维持高质量的信号放大，减少邻道泄漏比（ACLR），满足严格的通信标准要求。此外，SRM2A256LLM10内置输入和输出匹配网络，大幅减少了外围元件数量，简化了PCB布局并提高了生产一致性。其塑料表面贴装封装不仅成本低、重量轻，而且具备良好的射频性能和机械稳定性，支持回流焊工艺，适用于自动化装配流程。
　　热管理方面，该封装设计优化了从结到外壳的热传导路径，配合适当的散热垫或散热片，可有效将热量传递至PCB地平面或外部散热器，确保长期高功率运行下的可靠性。器件还具备良好的抗静电放电（ESD）能力和瞬态过载耐受性，在实际部署中展现出较高的鲁棒性。Infineon为其提供了完整的应用指南、参考电路和热仿真模型，帮助工程师快速完成设计验证和原型开发。总体而言，SRM2A256LLM10是一款面向未来无线通信需求的高性能射频功率放大器解决方案，兼顾效率、功率、尺寸和成本之间的平衡。

SRM2A256LLM10主要应用于需要在2.4GHz ISM频段实现高效、高线性度射频放大的各类系统。其典型应用场景包括工业、科学和医疗（ISM）频段的无线传输设备，例如远程监控系统、无线传感器网络、RFID读写器以及工业自动化通信模块。在无线局域网（WLAN）领域，该器件可用于高性能Wi-Fi 4（802.11n）或Wi-Fi 5（802.11ac）接入点、企业级路由器和分布式天线系统（DAS），作为末级功率放大器提升信号覆盖范围和穿透能力。此外，该芯片也适用于点对点和点对多点的短距离微波通信链路，如城市间的无线宽带接入系统或应急通信网络。
　　在专业通信系统中，SRM2A256LLM10可用于地面移动无线电、公共安全通信基站以及无人机（UAV）数据链路的发射前端，提供稳定的高功率输出。由于其良好的温度稳定性和抗干扰能力，该器件也可用于某些军用通信设备和航空电子系统中的战术电台或导航辅助设备。在测试与测量仪器方面，该晶体管可作为信号发生器或功率放大模块的一部分，用于生成高精度、高稳定性的射频激励信号。此外，随着物联网（IoT）和智能城市的发展，SRM2A256LLM10还可集成于智能电网通信节点、远程抄表系统和车联网（V2X）基础设施中，支持远距离、高可靠性的无线数据传输。其小型化封装和高集成度特性使其特别适合空间受限但性能要求高的嵌入式无线平台。

SRF2G256LSM10
　　SRF2G256LDM10
　　CGH40010F
　　PD55003