时间：2025/12/27 9:04:25
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UMUR2040C是一款由优恩半导体（UNSEM）推出的超快恢复整流二极管，广泛应用于开关电源、逆变器、DC-DC转换器等高频电力电子电路中。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有优异的反向恢复特性、低正向压降和高可靠性，适用于对效率和响应速度要求较高的电源系统。UMUR2040C的封装形式为TO-220，具备良好的散热性能和机械强度，适合在工业级温度范围内稳定工作。作为一款200V耐压、4A额定电流的超快恢复二极管，它在抑制反向恢复电流尖峰、减少电磁干扰（EMI）方面表现出色，是现代高效电源设计中的关键元件之一。
该器件特别适用于与MOSFET或IGBT配合使用，在连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）电路中充当升压二极管，能够有效降低开关损耗并提升系统整体效率。其快速恢复特性确保了在高频工作条件下仍能保持较低的功耗和温升，从而提高了系统的长期运行稳定性。此外，UMUR2040C符合RoHS环保标准，不含铅、镉等有害物质，满足现代电子产品对绿色环保的要求。
类型：超快恢复整流二极管
最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V
最大平均整流电流（IO）：4A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：60A（半正弦波，8.3ms）
最大正向压降（VF）：1.5V @ 4A, TJ=25°C
最大反向漏电流（IR）：5μA @ 200V, TJ=25°C
典型反向恢复时间（trr）：35ns
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
UMUR2040C的核心优势在于其卓越的反向恢复性能，典型反向恢复时间（trr）仅为35ns，这使其能够在高频开关应用中显著降低反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复电流尖峰，从而减少开关损耗和电磁干扰（EMI）。在实际应用中，尤其是在PFC电路和LLC谐振变换器中，这种快速恢复能力可以有效避免因二极管反向恢复引起的MOSFET或IGBT二次击穿问题，提高系统可靠性。其低正向压降（1.5V @ 4A）也意味着更低的导通损耗，有助于提升电源转换效率，减少热管理压力。
该器件采用优化的PN结结构和掺杂工艺，确保在高温条件下仍能保持稳定的电气性能。即使在结温达到125°C以上时，反向漏电流仍能控制在较低水平（通常小于100μA），避免了高温下漏电流激增导致的热失控风险。同时，其高达60A的非重复浪涌电流承受能力使其具备较强的抗冲击能力，可在启动或异常工况下提供额外的安全裕度。
TO-220封装不仅提供了良好的散热路径，还具备较高的爬电距离和电气隔离能力，适用于交流输入侧的高压环境。器件引脚布局合理，便于安装散热片，进一步增强其在高功率密度设计中的适用性。此外，UMUR2040C通过了多项国际认证，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）等可靠性测试，确保在恶劣工作环境下长期稳定运行。其一致性和批次稳定性也经过严格管控，适合大规模自动化生产使用。
UMUR2040C广泛应用于各类高性能开关电源系统中，如服务器电源、通信电源、工业电源模块等。它常用于功率因数校正（PFC）电路中的升压二极管，特别是在连续导通模式（CCM）PFC拓扑中，其快速恢复特性可有效抑制反向恢复电流对主开关管的冲击，提升系统效率和可靠性。在DC-DC变换器中，该器件可用于输出整流或续流二极管，尤其适用于高频工作的同步整流替代方案中作为参考基准。
此外，UMUR2040C也适用于逆变器、UPS不间断电源、太阳能微逆变器以及LED驱动电源等场合。在这些应用中，其低损耗和高可靠性有助于延长设备寿命并降低维护成本。由于其具备较强的抗浪涌能力和宽温工作范围，该器件也可用于工业控制、汽车电子辅助电源等对环境适应性要求较高的领域。在消费类电子高端适配器中，UMUR2040C同样可用于提高能效等级，满足Energy Star、CoC Tier 2等能效标准要求。
MUR2040CTG
ES2040
STTH2R04
