FDMB2307 时间：2025/8/25 5:28:01 阅读：11

FDMB2307是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的Trench沟槽技术，具备低导通电阻和高开关性能。该器件主要用于需要高效能和低功耗的应用，如电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等领域。FDMB2307的封装形式为SOT-23，这种小型封装适合在空间受限的PCB设计中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：1.8A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：120mΩ @ VGS=4.5V, 1.8A
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：0.5V ~ 1.5V @ ID=250μA
　　最大功耗（PD）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装：SOT-23

特性

FDMB2307具有多个显著的技术特点，首先是其低导通电阻（RDS(on)），仅为120mΩ，这在高电流应用中可以显著降低功率损耗并提高整体效率。其次，该器件采用先进的Trench沟槽技术，使得其在较小的封装下依然保持出色的电气性能。此外，FDMB2307的工作电压范围较宽，最大漏源电压为30V，使其能够适用于多种电源管理场景。
　　该MOSFET的栅极阈值电压较低，范围在0.5V至1.5V之间，这意味着它可以轻松地由低压控制器驱动，如微控制器或逻辑电路，从而简化电路设计并提高系统的兼容性。同时，FDMB2307的封装形式为SOT-23，这是一种非常常见且紧凑的表面贴装封装，非常适合用于高密度PCB布局。
　　另外，FDMB2307的最大漏极电流为1.8A，虽然不是极高电流的器件，但在中小功率应用中表现优异。其最大功耗为1.4W，结合良好的热设计可以确保器件在高负载条件下稳定工作。器件的工作温度范围为-55°C至150°C，表明其在极端温度环境下依然具有良好的稳定性，适合工业级和汽车电子应用。

应用

FDMB2307广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池供电设备以及各种便携式电子产品。由于其低导通电阻和高效的开关性能，它在需要高能效和低功耗的场景中尤为适用。
　　在电源管理系统中，FDMB2307可用于实现高效的电源切换和管理，例如在多路电源选择或负载分配中使用。在DC-DC转换器中，它可以用作主开关器件，帮助实现高效的电压转换。此外，FDMB2307也非常适合用于负载开关应用，例如在电源管理系统中控制不同外设的供电，以优化整体功耗。
　　在电机控制领域，FDMB2307可以作为H桥电路中的开关器件，用于控制小型直流电机的正反转和速度调节。在电池供电设备中，例如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等，FDMB2307可以用于实现高效的电源管理和低功耗设计。此外，由于其宽工作温度范围，FDMB2307也常用于工业控制设备和汽车电子系统中，例如车载充电器、ECU（电子控制单元）等应用场景。