时间：2025/9/3 12:35:04
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MHW926是一款专为高压、高频应用设计的功率MOSFET晶体管，广泛应用于工业控制、电源转换、电动工具以及汽车电子等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备出色的导通特性和快速的开关性能，以满足高效率和高可靠性的需求。MHW926通常封装在TO-220或TO-263等标准功率封装中，便于安装和散热。
类型：功率MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：16A
导通电阻（Rds(on)）：0.25Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：45nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220 / TO-263
MHW926具有优异的电气性能和热稳定性，适用于高频率开关操作，能够有效降低开关损耗，提高系统效率。其低导通电阻特性有助于减少导通状态下的功率损耗，从而提升整体能效并降低工作温度。此外，该器件具备较高的短路耐受能力，确保在异常工况下仍能保持稳定运行。
MHW926的栅极驱动要求相对较低，支持与标准驱动电路兼容，简化了外围电路设计。该器件还具备良好的抗静电能力和过热保护特性，增强了系统的可靠性和耐用性。
在封装方面，MHW926采用成熟的TO-220或TO-263封装技术，具备良好的散热性能和机械强度，适用于各种严苛的工作环境。其封装设计也便于焊接和安装，适合批量生产和自动化装配。
MHW926常用于多种高电压和高功率应用场景，例如AC-DC电源转换器、DC-DC变换器、电机驱动器、逆变器、UPS不间断电源系统、工业自动化设备以及电动汽车充电模块等。其优异的开关性能和稳定性使其成为现代高效能电源管理系统中的理想选择。
IRF840, FQA16N60, STP16NF60
