时间：2025/4/29 12:01:13
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IPD50N06S4-09是一种基于氮化硅（SiC）技术的MOSFET器件，专为高频、高效开关应用设计。该芯片具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力的特点，适合用于电源管理、电机驱动以及工业控制等领域。
相比传统的硅基MOSFET，IPD50N06S4-09通过优化沟道结构和材料特性，大幅提升了功率密度和效率，同时减少了系统级的能量损耗。
额定电压：650V
额定电流：50A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：80nC
反向恢复时间：30ns
工作温度范围：-55℃ to +175℃
IPD50N06S4-09采用先进的碳化硅（SiC）制造工艺，提供卓越的电气性能和热稳定性。
主要特性包括：
1. 高击穿电压和低导通电阻，有效减少传导损耗。
2. 快速开关速度和低栅极电荷，降低开关损耗并提升效率。
3. 耐高温能力，在极端温度环境下仍能保持稳定运行。
4. 低反向恢复电荷，适用于高频开关应用。
5. 小型化封装设计，简化PCB布局并节省空间。
此外，IPD50N06S4-09还具备优异的抗电磁干扰性能和更高的可靠性，使其成为下一代高效电力电子系统的理想选择。
IPD50N06S4-09广泛应用于各类高功率密度和高频工作的场景，具体包括：
1. 开关电源（SMPS）和不间断电源（UPS）。
2. 太阳能逆变器和储能系统。
3. 电动汽车（EV）车载充电器和牵引逆变器。
4. 工业电机驱动和伺服控制系统。
5. LED照明驱动和高效DC-DC转换器。
由于其高性能表现，IPD50N06S4-09特别适合需要高效率、高可靠性和紧凑设计的应用场合。
IPD50N06S3-09
STP50NE06S
CSD19536KCS
