时间：2025/4/27 13:26:43
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DMN2024UVT 是一款来自 Diodes Incorporated 的 N 沃林顿沟道 MOSFET。该器件采用超小型 U-DFN2020-6 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特性，非常适合用于便携式设备、电池供电设备以及对空间要求苛刻的应用中。
DMN2024UVT 提供了出色的性能，能够实现高效能功率转换和信号切换，同时其紧凑的设计使得它在 PCB 布局上占据极少的空间。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.7A
导通电阻（典型值）：180mΩ
栅极电荷：1.5nC
总电容：35pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
DMN2024UVT 具备以下关键特性：
1. 超低导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 小型化封装设计（U-DFN2020-6），节省 PCB 空间。
3. 快速开关能力，适用于高频应用。
4. 高 ESD 保护，提升器件可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 工作温度范围宽广，适应多种环境需求。
DMN2024UVT 广泛应用于以下领域：
1. 手机和平板电脑等便携式电子设备中的负载开关。
2. 电池管理系统的充电/放电控制。
3. 开关电源适配器及 DC-DC 转换器。
4. LED 驱动电路中的开关元件。
5. 各种工业和消费类电子产品中的信号切换。
6. 电机驱动与控制应用中的功率级组件。
DMN2024SCT, DMN2025UVT
