类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：280V
　　漏极电流（Id）：73A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 37mΩ（典型值 28mΩ）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247AC

IXFN73N28 的核心优势在于其出色的导通性能和低导通损耗。其导通电阻（Rds(on)）非常低，典型值仅为 28mΩ，这使得在大电流下运行时，功耗大大降低，提高了系统的整体效率。
　　此外，该 MOSFET 具有出色的热稳定性，能够在高达 +175°C 的结温下稳定运行，适合用于高功率密度设计和恶劣的工业环境。器件内部采用了先进的沟槽式栅极结构，优化了电场分布，从而减少了开关损耗，提高了器件的耐用性和可靠性。
　　IXFN73N28 还具备良好的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过电压情况下保持稳定运行，从而提高系统的安全性和可靠性。其 TO-247AC 封装形式具备良好的散热性能，适合高功率应用的散热需求。
　　此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许灵活的驱动电路设计，并且具备良好的短路耐受能力，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子系统。

IXFN73N28 主要用于需要高功率密度和高效能的电力电子系统中，例如：工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器、电动汽车充电设备以及各类 DC-DC 转换器。
　　在电机控制应用中，该 MOSFET 可以作为功率开关使用，控制电机的启停和转速，提供高效的能量转换。
　　在太阳能逆变器中，IXFN73N28 可用于将直流电转换为交流电，实现太阳能电池板与电网之间的高效能量转换。
　　此外，该器件还广泛用于电动汽车的车载充电系统和电池管理系统，以实现高效率的能量传输和管理。
　　由于其高耐压和大电流能力，IXFN73N28 也常用于工业自动化设备和电力控制模块中，用于实现高可靠性的开关操作。

IXFH73N28P、IXFH73N28、IXFN73N25、IXFN73N30