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RB110C T100 发布时间 时间:2025/11/8 0:54:37 查看 阅读:7

RB110C T100是一款由罗姆(ROHM)半导体公司生产的表面贴装肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用小型SOD-123FL封装。该器件专为高效率、低功耗的电源应用而设计,广泛应用于便携式电子设备、消费类电子产品以及各类DC-DC转换电路中。RB110C T100具有低正向电压降和快速开关特性,能够有效减少导通损耗并提高系统整体能效。其反向耐压为100V,属于高压肖特基二极管类别,在需要较高阻断电压的应用中表现出色。该器件符合RoHS环保标准,并具备良好的热稳定性和可靠性,适合自动化贴片生产工艺。由于其紧凑的封装尺寸和优异的电气性能,RB110C T100在空间受限且对效率要求较高的应用场景中尤为受欢迎。

参数

类型:肖特基势垒二极管
  封装形式:SOD-123FL
  最大重复反向电压(VRRM):100 V
  平均整流电流(IO):1 A
  峰值正向浪涌电流(IFSM):30 A
  最大正向电压(VF):1.1 V(在1A条件下)
  最大反向漏电流(IR):100 μA(在100V、25°C条件下)
  工作结温范围(Tj):-55 °C 至 +150 °C
  热阻(Rth(j-a)):约250 K/W(典型值)
  安装方式:表面贴装
  引脚数:2
  极性:单个二极管

特性

RB110C T100的核心优势在于其采用了先进的肖特基势垒技术,实现了较低的正向导通压降与高速开关能力之间的良好平衡。该器件的最大重复反向电压可达100V,使其适用于中高压直流电路中的整流与续流操作,相较于传统硅PN结二极管,它在高频开关电源环境中展现出更低的能量损耗。在1A的工作电流下,其典型正向电压仅为1.1V左右,显著降低了功率损耗,提高了系统的能量转换效率。
  该二极管具备出色的动态响应特性,反向恢复时间极短,几乎可以忽略不计,因此非常适合用于高频DC-DC变换器、同步整流替代方案以及反向极性保护等场合。此外,其快速的开关行为有助于减少电磁干扰(EMI),提升整个电源系统的稳定性与兼容性。
  SOD-123FL封装是一种超小型表面贴装封装,体积仅为约1.7mm × 1.25mm × 1.1mm,极大节省了PCB布局空间,特别适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他高度集成化的便携式电子产品。该封装还具有良好的散热性能和机械强度,能够在回流焊工艺中保持稳定可靠。
  RB110C T100支持–55°C至+150°C的宽工作结温范围,适应严苛的环境条件,确保在高温或低温环境下仍能稳定运行。器件通过AEC-Q101车规级认证的可能性较高(需查证具体批次),可用于部分汽车电子系统中,如车载充电模块或LED照明驱动。
  此外,该产品符合无铅和RoHS指令要求,支持绿色环保制造流程。生产过程中采用可靠的金属化工艺和钝化层结构,增强了长期使用的耐久性与抗湿性。整体而言,RB110C T100是一款高性能、小尺寸、高可靠性的肖特基二极管,适用于多种现代电子系统中的关键功率管理功能。

应用

RB110C T100广泛应用于各类中小功率电源管理系统中,尤其适合对空间和效率有严格要求的便携式设备。常见应用包括手机、平板电脑、蓝牙耳机等移动终端中的DC-DC升压或降压电路,作为续流二极管或防倒灌二极管使用,以提高转换效率并防止电池反向放电。
  在AC-DC适配器和USB充电器中,该器件可用于次级侧整流环节,尤其是在低输出电流的非隔离式拓扑中表现优异。由于其快速开关特性,也可用于高频开关电源(SMPS)中的箝位电路或能量回收路径,抑制电压尖峰并提升系统可靠性。
  此外,RB110C T100适用于LED驱动电源,特别是在恒流源电路中作为隔离或续流元件,帮助实现稳定的光输出。在太阳能充电控制器、小型逆变器和电池管理系统(BMS)中,该二极管可用于防止反向电流流动,保护储能单元。
  工业控制领域的小型传感器模块、IoT无线节点、RFID读写器等低功耗设备也常采用此类高性能肖特基二极管来优化电源路径管理。同时,因其具备一定的耐压能力,还可用于信号线路的静电保护或瞬态电压抑制辅助路径。
  在汽车电子方面,虽然该器件主要面向消费类市场,但在非关键性的车载辅助电源、车载信息娱乐系统供电模块中也有潜在应用价值,前提是满足相应的环境与可靠性要求。总体来看,RB110C T100凭借其高效率、小尺寸和高可靠性,已成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

替代型号

RB110M-13-F
  SB100V100M
  MBR1100T1G
  SS14-HF

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