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MHW8247A 发布时间 时间:2025/3/31 11:50:39 查看 阅读:6

MHW8247A是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),主要应用于功率转换、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度以及优异的热性能,能够显著提升系统的效率和可靠性。
  其封装形式通常为TO-252或TO-263,具有紧凑的尺寸和良好的散热能力,适用于多种工业和消费类电子应用。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:16A
  导通电阻:10mΩ
  栅极电荷:25nC
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

1. 极低的导通电阻,可有效降低功率损耗,提高整体效率。
  2. 高速开关性能,支持高频应用场合,减少电磁干扰。
  3. 优异的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。
  4. 强大的浪涌电流承受能力,确保在恶劣环境下依然可靠运行。
  5. 小型化封装设计,节省PCB空间,适合紧凑型设计需求。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保,满足国际法规要求。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器和功率因数校正电路。
  2. 电池管理系统(BMS)中的保护电路和负载开关。
  3. 工业自动化设备中的电机驱动和控制电路。
  4. 消费类电子产品中的DC-DC转换器和LED驱动电路。
  5. 通信设备中的电源管理模块和信号调节电路。
  6. 太阳能逆变器和其他新能源相关产品的功率转换部分。

替代型号

IRF840A
  STP16NF06L
  FDP150AN6Z

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