MHW8247A 时间：2025/3/31 11:50:39 阅读：26

MHW8247A是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要应用于功率转换、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度以及优异的热性能，能够显著提升系统的效率和可靠性。
　　其封装形式通常为TO-252或TO-263，具有紧凑的尺寸和良好的散热能力，适用于多种工业和消费类电子应用。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　持续漏极电流：16A
　　导通电阻：10mΩ
　　栅极电荷：25nC
　　工作温度范围：-55℃至150℃

特性

1. 极低的导通电阻，可有效降低功率损耗，提高整体效率。
　　2. 高速开关性能，支持高频应用场合，减少电磁干扰。
　　3. 优异的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。
　　4. 强大的浪涌电流承受能力，确保在恶劣环境下依然可靠运行。
　　5. 小型化封装设计，节省PCB空间，适合紧凑型设计需求。
　　6. 符合RoHS标准，绿色环保，满足国际法规要求。

应用

1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器和功率因数校正电路。
　　2. 电池管理系统（BMS）中的保护电路和负载开关。
　　3. 工业自动化设备中的电机驱动和控制电路。
　　4. 消费类电子产品中的DC-DC转换器和LED驱动电路。
　　5. 通信设备中的电源管理模块和信号调节电路。
　　6. 太阳能逆变器和其他新能源相关产品的功率转换部分。