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PH8230E,115 发布时间 时间:2025/9/14 18:42:11 查看 阅读:12

PH8230E,115 是一款由 Nexperia(安世半导体)推出的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 型晶体管。该晶体管设计用于中功率放大和开关应用,具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性。由于其坚固的结构和优异的可靠性,PH8230E,115 被广泛应用于工业控制、电源管理、音频放大器和其他需要中功率晶体管的场合。

参数

类型:NPN 双极型晶体管
  最大集电极-发射极电压(VCEO):60V
  最大集电极-基极电压(VCBO):100V
  最大发射极-基极电压(VEBO):5V
  最大集电极电流(IC):4A(连续)
  最大功耗(PD):30W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-220
  电流增益(hFE):典型值为 80 至 600,具体取决于测试条件
  过渡频率(fT):100MHz(最小)

特性

PH8230E,115 具有优异的电气性能和可靠性,其主要特点包括高电流增益(hFE)、低饱和电压(VCEsat)以及良好的热性能。该晶体管的最大集电极电流可达 4A,使其适用于中功率开关和放大电路。其过渡频率(fT)高达 100MHz,表明其在高频应用中也有良好的响应能力。此外,PH8230E,115 的 TO-220 封装具有良好的散热性能,能够有效降低工作时的温度上升,提高器件的稳定性和寿命。
  该晶体管的 hFE 分为多个等级,用户可以根据具体应用需求选择合适的增益等级。此外,其低饱和电压(VCEsat)特性有助于减少导通损耗,提高系统效率,特别适用于电源管理和开关电源应用。
  PH8230E,115 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,具备较强的环境适应能力,可在恶劣工业环境下稳定工作。其高可靠性使其成为工业自动化、汽车电子、消费电子等多种领域的理想选择。

应用

PH8230E,115 主要用于中功率放大电路和开关电路。由于其高电流能力和良好的热稳定性,该晶体管常用于音频放大器的输出级、电机驱动电路、继电器驱动电路、电源管理模块、DC-DC 转换器、LED 驱动电路以及工业控制系统的功率开关。此外,PH8230E,115 也可用于汽车电子系统中的负载开关和继电器控制,适用于需要高可靠性和稳定性的应用场景。

替代型号

TIP41C, BDW44C, 2N6254

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PH8230E,115参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C67A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.2 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1400pF @ 10V
  • 功率 - 最大62.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-100,SOT-669,4-LFPAK
  • 供应商设备封装LFPAK,Power-SO8
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称568-2350-6