H5MS2622JFR-L3M 时间：2025/9/2 0:33:46 阅读：8

H5MS2622JFR-L3M是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装，适用于需要高速数据存取和高密度存储的应用场景。H5MS2622JFR-L3M是一款常见的移动DRAM芯片，广泛应用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统等便携式电子设备中。该芯片具有低功耗、高带宽和良好的稳定性等特点，支持LPDDR2（Low Power Double Data Rate 2）内存标准，适合需要高效能和低功耗并存的系统设计。

参数

类型：DRAM
　　内存标准：LPDDR2
　　容量：2Gb（256MB）
　　组织结构：x16位宽
　　工作电压：1.2V~1.8V
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：134-ball FBGA
　　温度范围：工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）
　　最大数据速率：800Mbps
　　工作频率：400MHz
　　刷新周期：64ms
　　数据输入/输出模式：双数据率（DDR）
　　自动刷新与自刷新功能：支持

特性

H5MS2622JFR-L3M是一款高性能、低功耗的LPDDR2 SDRAM芯片，适用于移动设备和嵌入式系统。该芯片采用1.2V至1.8V的双电压供电设计，使其能够在不同系统环境中灵活工作。H5MS2622JFR-L3M的x16位宽配置提供了较高的数据吞吐能力，同时其800Mbps的数据速率和400MHz的工作频率能够满足高速数据处理的需求。该芯片支持自动刷新和自刷新功能，能够在设备待机或低功耗模式下有效保持数据完整性，同时降低功耗。H5MS2622JFR-L3M采用134-ball FBGA封装，具备良好的散热性能和机械稳定性，适合高密度PCB布局。
　　此外，该芯片符合工业级温度范围要求，能够在-40°C至+85°C的环境下稳定运行，适用于严苛的工业和车载应用场景。其64ms的刷新周期确保了数据在不频繁刷新的情况下依然保持稳定，减少了系统功耗和内存控制器的负担。

应用

H5MS2622JFR-L3M广泛应用于需要高性能和低功耗的便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备和嵌入式系统。由于其较高的数据速率和较低的工作电压，它也非常适合用于多媒体处理、图形加速和实时数据传输等应用场景。此外，该芯片还可用于工业控制设备、车载导航系统和物联网（IoT）设备，提供稳定可靠的内存支持。