类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：160A（在TC=25℃时）
　　漏-源电压（VDS）：40V
　　栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大4.3mΩ（在VGS=10V时）
　　最大功耗（PD）：250W
　　工作温度范围：-55℃至+175℃
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

BUL43BAS 具有多个显著的技术特性，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）降低了导通损耗，提高了系统效率，尤其在大电流工作条件下更为明显。其次，该MOSFET采用先进的沟槽结构，优化了电流分布并减少了热阻，从而提高了器件的热稳定性和可靠性。
　　此外，BUL43BAS 封装在TO-263（D2PAK）封装中，这种表面贴装封装形式不仅提供了良好的散热性能，还支持自动化生产，提高了制造效率。同时，该器件的高耐压能力（VDS=40V）使其适用于多种中压功率转换应用。
　　该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，能够在高能脉冲条件下保持稳定运行，增强了系统的耐用性。此外，其栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，便于集成到不同类型的功率系统中。

BUL43BAS 广泛应用于多种高功率电子系统中，例如直流-直流转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统。在电动汽车和混合动力汽车中，该器件常用于车载充电器、DC/DC转换器和电动机控制模块。此外，它也适用于工业自动化设备中的高电流开关和负载管理电路。
　　由于其优异的导通性能和高可靠性，BUL43BAS 也常用于服务器电源、UPS（不间断电源）和储能系统中的功率转换模块。在可再生能源系统中，例如太阳能逆变器和风力发电控制器中，该MOSFET可用于高效能的电能转换与管理。

STP150N4F7AG TO-220
　　IRF1404ZTRPBF TO-220
　　IPB045N04N G
　　BSC04N04LS5 E6327