时间：2025/9/2 13:10:58
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MFE990 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率、高频率和高功率应用设计，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等应用。MFE990 采用先进的工艺技术制造，确保了低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于工业、通信和消费类电子产品。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（ID）：18A（在 25°C）
最大漏-源电压（VDS）：60V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大 40mΩ（在 VGS = 10V）
栅极电荷（Qg）：约 45nC
封装形式：TO-220AB、D2PAK（SMD）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
MFE990 MOSFET 具备多项优异特性，首先是其低导通电阻，确保在高电流下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统效率。其最大漏-源电压可达 60V，适用于多种中高压电源应用。该器件的栅极电荷较低，有助于在高频开关应用中减少驱动损耗，提高整体能效。
此外，MFE990 提供多种封装选项，包括 TO-220AB 和 D2PAK 表面贴装封装，便于在不同 PCB 设计中使用，并提供良好的散热性能。其宽工作温度范围（-55°C 至 +175°C）使其适用于严苛环境下的工业和汽车应用。
该 MOSFET 还具备出色的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压情况下保持稳定运行，提高系统可靠性。其栅极设计支持标准逻辑电平驱动（VGS = 10V），兼容常见的 MOSFET 驱动器电路。
MFE990 广泛应用于多种高功率电子系统中，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、UPS（不间断电源）、工业自动化设备和通信电源模块。其高效率和低导通电阻特性使其成为高性能电源管理解决方案的理想选择。此外，MFE990 也适用于需要高可靠性的汽车电子系统，如车载充电器和电能管理系统。
Si9410BDY-T1-E3、IRFZ44N、IPD90N06S4-03、FDS6680、MFE950
