时间：2025/9/1 16:29:07
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IS46DR16160B-25DBLA1 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速、低功耗的异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件的存储容量为256K x 16位，总共提供4MB的存储空间，采用高性能CMOS工艺制造，适用于对速度和功耗有较高要求的应用场景。
存储容量：256K x 16位
供电电压：3.3V
访问时间：25ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
输入/输出电压兼容性：3.3V和5V兼容
最大功耗：约300mA（典型值）
IS46DR16160B-25DBLA1 具备高速访问时间（25ns），能够满足高速数据读写需求。其低功耗特性使其在电池供电或便携式设备中表现优异。此外，该SRAM支持异步操作，无需时钟信号即可进行数据读写，适用于多种嵌入式系统和工业控制应用。该芯片采用CMOS工艺，具有较高的稳定性和可靠性。
在封装方面，TSOP封装形式有助于节省PCB空间并提高抗干扰能力，适用于高密度电路设计。同时，该器件的工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C至+85°C），适用于恶劣环境下的长期稳定运行。
IS46DR16160B-25DBLA1 通常用于需要快速数据存取的场景，例如嵌入式控制系统、网络设备、通信模块、工业自动化设备、测试仪器和汽车电子系统。由于其异步接口的灵活性，该芯片也广泛应用于老式或定制的处理器系统中作为高速缓存使用。
IS46DR16160B-25HBLA1, CY7C1041GN30-25BAI, IDT71V416SA25PFG
