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IS46DR16160B-25DBLA1 发布时间 时间:2025/9/1 16:29:07 查看 阅读:8

IS46DR16160B-25DBLA1 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件的存储容量为256K x 16位,总共提供4MB的存储空间,采用高性能CMOS工艺制造,适用于对速度和功耗有较高要求的应用场景。

参数

存储容量:256K x 16位
  供电电压:3.3V
  访问时间:25ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  输入/输出电压兼容性:3.3V和5V兼容
  最大功耗:约300mA(典型值)

特性

IS46DR16160B-25DBLA1 具备高速访问时间(25ns),能够满足高速数据读写需求。其低功耗特性使其在电池供电或便携式设备中表现优异。此外,该SRAM支持异步操作,无需时钟信号即可进行数据读写,适用于多种嵌入式系统和工业控制应用。该芯片采用CMOS工艺,具有较高的稳定性和可靠性。
  在封装方面,TSOP封装形式有助于节省PCB空间并提高抗干扰能力,适用于高密度电路设计。同时,该器件的工作温度范围覆盖工业级标准(-40°C至+85°C),适用于恶劣环境下的长期稳定运行。

应用

IS46DR16160B-25DBLA1 通常用于需要快速数据存取的场景,例如嵌入式控制系统、网络设备、通信模块、工业自动化设备、测试仪器和汽车电子系统。由于其异步接口的灵活性,该芯片也广泛应用于老式或定制的处理器系统中作为高速缓存使用。

替代型号

IS46DR16160B-25HBLA1, CY7C1041GN30-25BAI, IDT71V416SA25PFG

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IS46DR16160B-25DBLA1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格209 : ¥47.68230托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR2
  • 存储容量256Mb
  • 存储器组织16M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间400 ps
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳84-TFBGA
  • 供应商器件封装84-TWBGA(8x12.5)