STP8NK100Z 时间：2025/12/24 19:52:58 阅读：14

STP8NK100Z是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高电压、高效率的功率转换应用，具有低导通电阻、高开关速度和耐高温性能，适用于DC-DC转换器、电源管理、电机控制、开关电源（SMPS）等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：1000V
　　最大漏极电流（Id）：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大1.2Ω（在Vgs=10V时）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
　　最大功率耗散（Ptot）：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220FP、D2PAK

特性

STP8NK100Z具备多项优异特性，使其在高压功率应用中表现出色。首先，其高达1000V的漏源击穿电压（Vds）使其适用于高压环境，如离线电源转换和高压马达驱动系统。
　　其次，该MOSFET的导通电阻（Rds(on)）较低，最大为1.2Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件支持较高的栅极驱动电压（标准10V），能够实现更低的导通电阻，从而进一步优化性能。
　　STP8NK100Z采用先进的制造工艺，具备良好的热稳定性和高温工作能力，其最大工作温度可达+150°C，确保在高负载条件下仍能稳定运行。同时，其封装形式（如TO-220FP和D2PAK）具备良好的散热能力，适合高功率密度设计。
　　该MOSFET具有较快的开关速度，适用于高频开关应用，减少开关损耗并提高整体系统效率。此外，其内部结构优化了电磁干扰（EMI）特性，有助于提升系统的电磁兼容性能。
　　最后，STP8NK100Z具备良好的短路耐受能力，能够在瞬态过载条件下保持稳定运行，增强了系统的可靠性和安全性。

应用

STP8NK100Z广泛应用于各类高电压功率转换系统中。典型应用包括：开关电源（SMPS）、离线AC-DC转换器、DC-DC降压/升压变换器、光伏逆变器、电机驱动电路、LED照明电源、家用电器电源模块以及工业自动化控制系统。
　　在开关电源中，STP8NK100Z常用于初级侧开关，实现高效的能量转换；在电机控制和驱动电路中，它可作为高边或低边开关，提供稳定的功率输出。
　　此外，该MOSFET在新能源领域如太阳能逆变器中也发挥着重要作用，能够承受较高的电压应力并保持良好的能效表现。
　　由于其良好的热稳定性和封装散热能力，STP8NK100Z也适用于需要长时间高负载运行的工业控制设备和自动化系统。