时间：2025/9/3 16:52:13
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MD6002是一款双N沟道增强型功率MOSFET，通常用于中高功率的开关电源、电机控制和DC-DC转换器等应用。这款芯片采用双封装形式，集成两个MOSFET单元，有助于减少电路板空间并提高系统效率。
类型：双N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：最大为6.0A
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为32mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散：3.0W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：DFN5x6、SO-8或类似小型封装
MD6002具有低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其双MOSFET结构允许用于同步整流或H桥电机控制等应用，从而简化电路设计。该器件还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，降低开关损耗。此外，其封装设计提供了良好的热性能，能够在较高环境温度下稳定工作。芯片具备较高的耐用性和可靠性，适用于各种工业和消费类电子设备。
MD6002广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及电源管理模块。由于其双MOSFET结构，它特别适合用于同步整流拓扑结构，如Buck和Boost转换器。此外，它也可用于便携式电子设备中的高效电源管理系统。
Si4460BDY, FDS6680, IRF7413, AO4406
