H9TA2GG1GDMCPR-4DM是一款由SK Hynix生产的高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于高带宽存储器(HBM)类别,广泛应用于需要高数据传输速率和高存储密度的设备中,例如高端图形处理单元(GPU)、人工智能(AI)加速器、高性能计算(HPC)系统等。HBM技术通过堆叠多个存储层并使用硅通孔(TSV)技术实现更高的带宽和更小的封装尺寸。
容量:2GB
类型:HBM(高带宽存储器)
封装类型:BGA
数据速率:1024Mbit/s(1.024GT/s)
工作电压:1.8V
引脚数:1024
封装尺寸:根据HBM标准设计
带宽:高达1024位宽,提供极高的数据传输速率
堆叠层数:4层
硅通孔(TSV):支持
工作温度范围:工业级温度范围
H9TA2GG1GDMCPR-4DM是一款基于HBM技术的高性能存储器芯片,采用了先进的硅通孔(TSV)和堆叠封装技术,使得该芯片在有限的空间内提供极高的存储带宽和容量。该芯片的带宽高达1024位宽,能够满足需要大量数据吞吐的应用需求,例如图形渲染、AI训练和推理、科学计算等。
此外,该芯片采用了低功耗设计,工作电压为1.8V,有助于降低整体功耗,同时保持高性能。HBM技术还减少了PCB板的空间占用,提高了系统集成度。H9TA2GG1GDMCPR-4DM支持高速数据传输,适用于需要实时处理大量数据的应用场景,如GPU、AI加速卡和高性能计算系统。
该芯片还具有良好的稳定性和可靠性,适用于工业级和高端消费类电子产品。
H9TA2GG1GDMCPR-4DM主要用于需要高带宽和高密度存储的应用领域,如高端图形处理、人工智能加速、高性能计算(HPC)、数据中心、网络设备和嵌入式系统。它被广泛应用于GPU(如NVIDIA和AMD的显卡)、AI芯片(如Google的TPU)、FPGA加速卡以及其他需要高速存储的设备中。
H9TA4GH6AMMDDR-4DM
H9TC4G6CJMCPR-4DM
H5AN4G8NDFR-X0G