时间：2025/9/2 2:20:13
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H9TA2GG1GDMCPR-4DM是一款由SK Hynix生产的高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高带宽存储器（HBM）类别，广泛应用于需要高数据传输速率和高存储密度的设备中，例如高端图形处理单元（GPU）、人工智能（AI）加速器、高性能计算（HPC）系统等。HBM技术通过堆叠多个存储层并使用硅通孔（TSV）技术实现更高的带宽和更小的封装尺寸。
容量：2GB
类型：HBM（高带宽存储器）
封装类型：BGA
数据速率：1024Mbit/s（1.024GT/s）
工作电压：1.8V
引脚数：1024
封装尺寸：根据HBM标准设计
带宽：高达1024位宽，提供极高的数据传输速率
堆叠层数：4层
硅通孔（TSV）：支持
工作温度范围：工业级温度范围
H9TA2GG1GDMCPR-4DM是一款基于HBM技术的高性能存储器芯片，采用了先进的硅通孔（TSV）和堆叠封装技术，使得该芯片在有限的空间内提供极高的存储带宽和容量。该芯片的带宽高达1024位宽，能够满足需要大量数据吞吐的应用需求，例如图形渲染、AI训练和推理、科学计算等。
此外，该芯片采用了低功耗设计，工作电压为1.8V，有助于降低整体功耗，同时保持高性能。HBM技术还减少了PCB板的空间占用，提高了系统集成度。H9TA2GG1GDMCPR-4DM支持高速数据传输，适用于需要实时处理大量数据的应用场景，如GPU、AI加速卡和高性能计算系统。
该芯片还具有良好的稳定性和可靠性，适用于工业级和高端消费类电子产品。
H9TA2GG1GDMCPR-4DM主要用于需要高带宽和高密度存储的应用领域，如高端图形处理、人工智能加速、高性能计算（HPC）、数据中心、网络设备和嵌入式系统。它被广泛应用于GPU（如NVIDIA和AMD的显卡）、AI芯片（如Google的TPU）、FPGA加速卡以及其他需要高速存储的设备中。
H9TA4GH6AMMDDR-4DM
H9TC4G6CJMCPR-4DM
H5AN4G8NDFR-X0G
