CPB7230-1210是一种高性能的射频功率晶体管,主要用于射频放大和功率控制应用。它采用先进的硅双极型晶体管(Si Bipolar)技术,能够在高频条件下提供高功率输出和良好的线性性能。这款器件广泛应用于无线通信设备、射频测试仪器和功率放大器设计中。
类型:射频功率晶体管
最大集电极电流:3 A
最大功耗:30 W
工作频率范围:DC至1 GHz
增益:18 dB(典型值)
输出功率:30 W(在1 GHz时)
封装形式:TO-220AB
CPB7230-1210具备出色的高频性能和高可靠性,其设计优化了在高频下的功率增益和效率。该晶体管在1 GHz频率下可提供高达30 W的输出功率,适用于需要高线性度和低失真的应用场景。此外,它具有良好的热稳定性和过载保护能力,确保在高功率运行时的长期可靠性。器件的TO-220AB封装形式便于散热,适用于各种射频电路中的安装和集成。
在设计上,CPB7230-1210具有低失真和高线性度的特点,使其非常适合用于需要高质量信号放大的系统。其18 dB的典型增益值确保了信号的高效放大,同时保持较低的噪声水平。这些特性使其成为射频通信设备和测试仪器中不可或缺的组件。
此外,该晶体管在电源管理和热保护方面也表现出色。它能够在较高的温度环境下稳定运行,并通过优化的散热设计确保长期运行的可靠性。这种高稳定性和耐用性使其适用于各种严苛的工作环境。
CPB7230-1210主要用于射频通信设备、射频测试仪器和功率放大器模块。它在无线基站、微波通信系统、雷达设备以及实验室测试仪器中都有广泛应用。由于其高功率输出和良好的线性性能,它非常适合用于需要高信号质量和稳定性的应用场合。
CPB7230-1210的替代型号包括CPB7230-1210S和CPB7230-1210T。